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STK12C68-SF45I 参数 Datasheet PDF下载

STK12C68-SF45I图片预览
型号: STK12C68-SF45I
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内容描述: 8Kx8自动存储的nvSRAM [8Kx8 AutoStore nvSRAM]
分类和应用: 存储静态存储器
文件页数/大小: 20 页 / 526 K
品牌: SIMTEK [ SIMTEK CORPORATION ]
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STK12C68 ( SMD5962-94599 )
SRAM写周期# 1 & # 2
符号
#1
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
t
AVAV
t
WLWH
t
ELWH
t
DVWH
t
WHDX
t
AVWH
t
AVWL
t
WHAX
t
WLQZ I,J
t
WHQX
#2
t
AVAV
t
WLEH
t
ELEH
t
DVEH
t
EHDX
t
AVEH
t
AVEL
t
EHAX
Alt键。
t
WC
t
WP
t
CW
t
DW
t
DH
t
AW
t
AS
t
WR
t
WZ
t
OW
写周期时间
把脉冲宽度
芯片使能写操作的结束
数据建立到写结束
写入结束后数据保持
地址建立到写结束
地址建立开始写的
写入结束后地址保持
写使能到输出禁止
输出写入结束后主动
5
参数
25
20
20
10
0
20
0
0
10
5
最大
35
25
25
12
0
25
0
0
13
5
最大
45
30
30
15
0
30
0
0
14
5
最大
55
45
45
25
0
45
0
0
15
最大
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
STK12C68-25
STK12C68-35
(V
CC
= 5.0V
±
10%)
e
STK12C68-45
STK12C68-55
单位
注记者:如果W低当E变为低电平时,输出保持在高阻抗状态。
注K: é或W必须是
V
IH
在地址转换。
注L: HSB必须在SRAM写周期高。
的SRAM写周期# 1:
硬件控制
K,L
12
t
AVAV
地址
t
ELWH
E
17
t
AVWH
13
t
WLWH
15
t
DVWH
DATA IN
t
WLQZ
数据输出
以前的数据
高阻抗
14
19
t
WHAX
18
t
AVWL
W
16
t
WHDX
数据有效
20
21
t
WHQX
SRAM写周期# 2 :
E受控
K,L
12
t
AVAV
地址
t
AVEL
E
18
14
t
ELEH
19
t
EHAX
17
t
AVEH
W
13
t
WLEH
15
t
DVEH
16
t
EHDX
数据有效
高阻抗
DATA IN
数据输出
文件控制# ML0008版本0.7
2007年2月
5