STK12C68 ( SMD5962-94599 )
自动存储/ POWER- UP
召回
符号
号
标准
27
28
29
30
31
32
t
恢复
t
商店
t
VSBL
t
延迟
V
开关
V
RESET
t
BLQZ
t
HLHZ
备用
上电
召回
长短
商店
循环时间
低电压触发信号(V
开关
),以HSB低
时间可以完成SRAM周期
低电压触发电平
低电压复位电平
1
4.0
4.5
3.9
参数
民
最大
550
10
300
μs
ms
ns
μs
V
V
s
P, Q,T
l
p
(V
CC
= 5.0V
±
10%)
e
STK12C68
单位
笔记
注释:吨
恢复
开始从时间V
CC
上升超过V
开关
.
注意T: HSB为低电平1
μs
当V
帽
下降到V
开关
。如果一个SRAM写入并没有从上次的非易失性周期, HSB发生
将被释放,并没有
商店
会发生。
自动存储/ POWER- UP
召回
V
CC
31
V
开关
32
V
RESET
自动存储
TM
上电
召回
t
恢复
HSB
27
29
t
VSBL
28
t
商店
30
t
延迟
W
DQ ( DATA OUT )
上电
召回
掉电
NO
商店
( NO SRAM写入)
NO
召回
(V
CC
没去
低于V
RESET
)
掉电
自动存储
NO
召回
(V
CC
没去
低于V
RESET
)
掉电
自动存储
召回
当
V
CC
回报
上述V
开关
文件控制# ML0008版本0.7
2007年2月
7