STK14CA8
操作的nvSRAM
NVSRAM
该STK14CA8的nvSRAM是由两个功能
tional部件配对的在同一个物理单元中。
这些都是对SRAM的存储单元和一个非易失性
QuantumTrap细胞。 SRAM的存储单元进行操作
就像一个标准的快速静态RAM 。在SRAM中的数据
可以被转移到非易失性细胞（在
STORE操作） ，或从非易失性细胞
SRAM （调用操作） 。这种独特的架构设计师用手工
tecture允许所有细胞进行存储和回顾
平行。在STORE和RECALL操作
SRAM的读写操作都被禁止。
该STK14CA8支持无限读取和写入
像典型的SRAM 。此外，它提供了无限
从非易失性细胞RECALL操作和
高达200K的存储操作。
自动存储操作
该STK14CA8将数据存储到使用一个的nvSRAM
三个存储操作。这三个操作
在硬件存储（由HSB激活） ，软件
存储（由地址序列被激活） ，并
自动存储（在断电） 。
自动存储操作SIMTEK的一大特色
量子阱技术是默认启用的
该STK14CA8 。
在正常操作期间，该装置将利用电流
从V租
CC
以连接到一个电容器充电
在V
帽
引脚。此存储的电荷将被使用的
芯片进行单店操作。如果
电压在V
CC
引脚低于V
开关
中，
部分将自动断开V
帽
从销
V
CC
。存储操作将电源启动
由V提供
帽
电容。
图3示出了存储的正确连接
电容（V
帽
）自动存储操作。
是指为直流特性表
电容器的大小。在V的电压
帽
引脚
由电荷泵芯片内部驱动到5V 。一
拉起应放在W至持有它不活动能很好地协同
荷兰国际集团电。
为了减少不必要的非易失性存储，自动存储
和硬件存储业务将被忽略
除非至少有一个写操作已
把自最近一次存储或调用
周期。启动软件商店周期是针对每个
形成无论是否写入操作
V
CC
SRAM读
该STK14CA8执行一个读周期时
E和G为低，而W和HSB高。该
地址引脚上的一个特定的编
0-16
确定哪个
在131,072字节的数据将被访问。当
READ由地址转换，输出启动
吨的延迟后卖出期权的有效期
AVQV
（读周期
＃1） 。如果读取由E和G ，输出启动
将在t有效
ELQV
或者在t
GLQV
，以较迟者为准
（读周期＃ 2 ） 。数据输出将反复
响应地址内的T变化
AVQV
而不需要任何转换的存取时间
控制输入引脚，并保持有效，直到另一个
地址变更或直到E或G被拉高，或W
和HSB被拉低。
SRAM写
写周期完成时E和W分别
LOW和HSB高。地址输入必须是
稳定之后才能进入写周期和必须的
保持稳定，直到东或者西变高的
循环的结束。对通用I / O引脚的数据
DQ0-7将被写入到存储器中，如果它是有效吨
DVWH
在W控制的写入或T年底前
DVEH
一个E控制的写在年底前。
建议使得G保持高时的
整个写周期，以避免数据总线争
通用I / O线。若G是左低，内部电路
将关闭输出缓冲器吨
WLQZ
后W¯¯去
低。
10K欧姆
V
帽
V
CC
V
帽
W
图3.自动存储模式
文件控制＃ ML0022版本2.1
2008年1月
11
0.1µF
SIMTEK [ SIMTEK CORPORATION ]
