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STK14CA8-RF25 参数 Datasheet PDF下载

STK14CA8-RF25图片预览
型号: STK14CA8-RF25
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内容描述: 128Kx8自动存储的nvSRAM [128Kx8 Autostore nvSRAM]
分类和应用: 存储内存集成电路静态存储器光电二极管
文件页数/大小: 21 页 / 562 K
品牌: SIMTEK [ SIMTEK CORPORATION ]
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STK14CA8
已经发生。 HSB的信号可以被监视
通过该系统,以检测一个自动存储周期是在
进展情况。
要启动的软件商店周期,以下
读序列必须执行:
1读地址
2读地址
3读地址
4读地址
5读地址
6读地址
0x4E38
0x83E0
0x703F
有效的读
有效的读
有效的读
五金店( HSB )操作
该STK14CA8提供了HSB引脚用于控制
和确认存储操作。该
HSB引脚可被用来请求五金店
周期。当HSB引脚驱动为低电平时,
STK14CA8将有条件地启动STORE能操作
吨后ATION
延迟
。实际STORE周期将只
首先,如果写入SRAM发生以来,
最后存储或调用周期。在HSB引脚有一个
极电阻上拉和内部驱动为低电平
表明处于忙碌状态,而STORE (启动
通过任何装置)正在进行中。该引脚应
外部上拉,如果它被用于驱动其他输入。
SRAM的读写操作都是在
当HSB被拉低以任何方式进步是
给定时间存储操作之前完成
被启动。经过HSB变为低电平时, STK14CA8会
继续以允许吨SRAM的操作
延迟
。能很好地协同
ING牛逼
延迟
,多个SRAM读取操作
成行。如果一个写正在进行时HSB是
拉低,这将允许一个时间t
延迟
,的COM
完整的。然而,任何SRAM写周期
HSB后要求变低将被禁止,直到
HSB返回高。
如果HSB不使用,应悬空。
0xB1C7有效的读
0x7C1F有效的读
0x8FC0启动STORE周期
一旦该序列中的第六个地址已
输入后, STORE周期将开始与
芯片将被禁用。重要的是读
周期,而不是写周期中使用
序列和G是活动的。之后的T
商店
周期已经完成,该SRAM将再次
用于读写操作激活。
软件RECALL
数据可从非易失性MEM-被转移
储器到SRAM由一个软件地址序列。一
软件RECALL周期开始于一个序列
的READ的方式操作类似于软
洁具STORE启动。要启动召回
周期, E的以下序列来控制或G
控制读操作必须执行:
1读地址
2读地址
3读地址
4读地址
5读地址
6读地址
0x4E38
0x83E0
0x703F
0x4C63
有效的读
有效的读
有效的读
启动RECALL周期
0xB1C7有效的读
0x7C1F有效的读
硬件RECALL (上电)
在上电期间或之后的任何低功耗状态
(V
CC
& LT ; V
开关
),内部再调用请求将
锁存。当V
CC
再次超过所述感
V的电压
开关
,召回周期将automati-
美云被启动,并将于吨
HRECALL
来完成。
软件商店
数据可以从SRAM被转移到非
易失性存储器由一个软件地址序列。
该STK14CA8软件商店周期开始
通过执行顺序E受控或G控制
从六个具体地址位置读周期
确切顺序。在STORE周期,以前的数据
被擦除,然后将新的数据被编程到
非易失性元素。一旦STORE周期
发起的,另一存储器的输入和输出是显示
禁止时,直到周期结束。
在内部,召回是一个两步的过程。首先,
SRAM的数据被清除,第二, nonvola-
瓦片的信息被传输到SRAM单元。
的T后
召回
周期时间,该SRAM将再次
再次准备好READ或WRITE操作。该
在没有办法调用操作改变的数据
非易失性存储元件。
文件控制# ML0022版本2.1
2008年1月
12