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STK16C68-W35I 参数 Datasheet PDF下载

STK16C68-W35I图片预览
型号: STK16C68-W35I
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内容描述: 8K ×8 AutoStorePlus⑩的nvSRAM QuantumTrap⑩ CMOS非易失性静态RAM [8K x 8 AutoStorePlus⑩ nvSRAM QuantumTrap⑩ CMOS Nonvolatile Static RAM]
分类和应用: 存储内存集成电路静态存储器光电二极管可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器
文件页数/大小: 10 页 / 383 K
品牌: SIMTEK [ SIMTEK CORPORATION ]
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STK16C68
设备操作
AutoStorePlus ™
STK16C68是一个快速的8K ×8
SRAM是不输于掉电数据。
数据是在积分保存
QuantumTrap ™
非易失性元件在通电状态下不可用。
该STK16C68的非易失不需要
任何系统的干预和支持:
AutoStore-
加™
在断电和自动召回
无需使用电时保证数据的完整性
电池。
AutoStorePlus ™
手术
该STK16C68的自动
商店
在掉电
是完全透明的系统。该
自动存储™
启动时间小于500ns的时候
电源中断(V
CC
& LT ; V
开关
)在该点处部分
仅在其内部电容的依赖
商店
完成。数据从该安全转移
SRAM
to
非易失性元件发生不分
电源转换速率。
为了防止不必要的
商店
操作中,
自动
商店
将被忽略,除非至少有一个
由于大多数操作已经发生
最近
商店
or
召回
周期。软件启动
商店
是否循环执行无关
或不
操作已经发生。
噪声考虑
注意, STK16C68是一个高速存储
因此必须有一个高频旁路电容
大约0.1μF连接V之间器
CC
和V
SS
使用动态迹线是短
可能。与所有高速
CMOS
集成电路,正常
小心路由电源,接地和信号将
防止噪音问题。
上电
召回
上电时,或在任何低功耗状态
(V
CC
& LT ; V
RESET
),内部
召回
请求将被
锁存。当V
CC
再次超过所述感
V的电压
开关
, a
召回
循环会自动
发起并会采取吨
恢复
来完成。
如果STK16C68是在一个
状态时的端
上电
召回
中,
SRAM
数据将被破坏。
为了避免这种情况,一个10kΩ电阻应
可以连接任何的W和系统V
CC
or
E和系统V之间
CC
.
SRAM读
该STK16C68执行
周期时ê
和G是低和W是高的。地址特定网络版
对引脚
0-12
确定哪一个8192数据
字节将被访问。当
启动
由地址转换时,输出将是有效
吨的延迟之后
AVQV
(
循环#1) 。如果
is
用E或G发起,输出将在t有效
ELQV
or
在T
GLQV
,以较迟者为准(
周期#2)。数据
输出将反复响应地址变更
内的T
AVQV
无需转录存取时间
在任何控制输入引脚位数,并会继续有效
直到另一个地址变更,或直到E或G是
拉高或W变为低电平。
软件非易失
商店
该STK16C68软件
商店
周期是由发起
执行顺序
来自六个特定周期
地址位置。在
商店
循环擦除
的首先执行先前的非易失性数据,
其次是非易失性元件的一个程序。
该程序运行复制
SRAM
数据导入
非易失性存储器。一旦
商店
周期initi-
ated ,进一步的输入和输出被禁用,直到
周期结束。
由于一个序列
从固有的S
地址被用于
商店
开始时,它一点很
坦没有其他
or
访问接口
vene序列中或序列将是
中止,没有
商店
or
召回
会发生。
要启动软件
商店
周期,以下
序列必须执行:
SRAM写
A
循环执行时E和W分别
低。地址输入之前必须是稳定的
进入
周期,必须保持稳定
直到东或者西变高,在该周期的结束。
对通用I数据输入/输出引脚DQ
0-7
将令状
10到存储器,如果它是有效吨
DVWH
年底前
一个W的控制
或T
DVEH
的年底前
E受控
.
建议使得G保持高时的
整个
周期,以避免数据总线争用
常见的I / O线。若G是左低,内部电路
将关闭输出缓冲器吨
WLQZ
W¯¯后变低。
2006年3月
7
文件控制# ML0010修订版0.2