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STK16C68-W35I 参数 Datasheet PDF下载

STK16C68-W35I图片预览
型号: STK16C68-W35I
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内容描述: 8K ×8 AutoStorePlus⑩的nvSRAM QuantumTrap⑩ CMOS非易失性静态RAM [8K x 8 AutoStorePlus⑩ nvSRAM QuantumTrap⑩ CMOS Nonvolatile Static RAM]
分类和应用: 存储内存集成电路静态存储器光电二极管可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器
文件页数/大小: 10 页 / 383 K
品牌: SIMTEK [ SIMTEK CORPORATION ]
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STK16C68
1.
2.
3.
4.
5.
6.
阅读地址
阅读地址
阅读地址
阅读地址
阅读地址
阅读地址
0000 (十六进制)
1555 (十六进制)
0AAA (十六进制)
1FFF (十六进制)
10F0 (十六进制)
0F0F (十六进制)
有效的读
有效的读
有效的读
有效的读
有效的读
开始
商店
周期
该软件程序的时钟必须有E
控制
s.
一旦该序列中的第六个地址已
输入,则
商店
周期将开始与
芯片将被禁用。重要的是
周期并且不
循环中使用
序列,但它不是必需的G是
低的顺序是有效的。之后的T
商店
周期已经满足,
SRAM
将再次
为激活
操作。
瓦片的信息被传输至电
SRAM
细胞。
的T后
召回
周期时间的
SRAM
将再次
准备好
操作。该
召回
在没有办法改变操作中的数据
非易失性元件。非易失性数据可以是
回顾一个无限的次数。
硬件保护
该STK16C68提供硬件保护
对开关
商店
操作和
SRAM写
s
在低电压的条件。当V
CC
& LT ; V
开关
,
软件
商店
操作和
SRAM写
s为
抑制。
较低的平均有功功率
该STK16C68绘制显著较少的电流
当它被循环在时间超过50ns的时间更长。图2
显示我的关系
CC
周期
时间。最坏情况下的电流消耗为显示
CMOS
TTL
输入电平(商业温
温度范围内,V
CC
= 5.5V ,占空比为100%的
芯片使能) 。图3示出相同的关系
周期。如果芯片使能占空比
小于100%时,只有待机电流被绘制
当芯片被禁用。整体的平均电流
租金由STK16C68绘制依赖于跟着
降脂项目: 1 )
CMOS
TTL
输入电平; 2)在
芯片的占空比实现; 3 )整个周期率
对于访问; 4 )的比率
S到
s; 5)
操作温度; 6) V
CC
水平;和7)的I /
Ø负载。
100
软件非易失
召回
软件
召回
周期开始于一个
序列
类似的方式操作
于软件
商店
起始。要启动
召回
循环中,将按照下列顺序
操作必须被执行:
1.
2.
3.
4.
5.
6.
阅读地址
阅读地址
阅读地址
阅读地址
阅读地址
阅读地址
0000 (十六进制)
1555 (十六进制)
0AAA (十六进制)
1FFF (十六进制)
10F0 (十六进制)
0F0E (十六进制)
有效的读
有效的读
有效的读
有效的读
有效的读
开始
召回
周期
在内部,
召回
是一个两步过程。首先,
SRAM
数据被清零,第二, nonvola-
100
平均工作电流(毫安)
平均工作电流(毫安)
80
80
60
60
TTL
CMOS
20
40
TTL
20
CMOS
0
50
100
150
周期时间(纳秒)
200
40
0
50
100
150
周期时间(纳秒)
200
图2 :我
CC
(最大值)读取
图3 :我
CC
(最大值)写入
2006年3月
8
文件控制# ML0010修订版0.2