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U635H64 参数 Datasheet PDF下载

U635H64图片预览
型号: U635H64
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内容描述: PowerStore 8K ×8的nvSRAM [PowerStore 8K x 8 nvSRAM]
分类和应用: 静态存储器
文件页数/大小: 14 页 / 139 K
品牌: SIMTEK [ SIMTEK CORPORATION ]
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U635H64
C型
DC特性
符号
V
CC
I
OH
I
OL
V
CC
V
OH
V
OL
V
CC
输出漏电流
高在三语句输出
在低三语句输出
I
OHZ
I
OLZ
I
IH
I
IL
V
IH
V
IL
V
CC
V
OH
V
OL
条件
分钟。
输出高电压
输出低电压
输出高电流
输出低电流
输入漏电流
V
OH
V
OL
I
OH
I
OL
= 4.5 V
= -4毫安
= 8毫安
= 4.5 V
= 2.4 V
= 0.4 V
= 5.5 V
= 5.5 V
= 0V
= 5.5 V
= 5.5 V
= 0V
1
-1
-1
1
μA
μA
1
-1
-1
1
μA
μA
2.4
0.4
-4
8
8
马克斯。
分钟。
2.4
0.4
-4
马克斯。
V
V
mA
mA
K型
单位
SRAM存储器操作
开关特性
读周期
1
2
3
4
5
6
7
8
9
读周期时间
f
地址访问时间到数据有效
g
芯片使能存取时间到数据有效
输出启用访问时间到数据有效
Ë高到输出的高阻
h
摹高到输出的高阻
h
低辐射LOW到输出中低Z
G低到输出低-Z
地址变更后的输出保持时间
符号
Alt键。
t
AVAV
t
AVQV
t
ELQV
t
GLQV
t
EHQZ
t
GHQZ
t
ELQX
t
GLQX
t
AXQX
t
ELICCH
t
EHICCL
IEC
t
cR
t
a(A)
t
一( E)
t
一( G)
t
DIS ( E)
t
DIS ( G)
t
烯( E)
t
EN( G)
t
V(A)
t
PU
t
PD
5
0
3
0
25
35
45
单位
分钟。马克斯。分钟。马克斯。分钟。马克斯。
25
25
25
12
13
13
5
0
3
0
25
35
35
35
35
20
17
17
5
0
3
0
45
45
45
45
25
20
20
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
10芯片使能为功耗工作
e
11片禁用于电源待机
D,E
e:
f:
g:
h:
参数的保证,但未经测试。
设备不断选择与E和G两个低。
地址有效之前或有E过渡LOW一致。
±
200毫伏的稳态输出电压。
沙头角管制# ML0052
4
1.0版
2006年3月31日