U635H64
非易失性存储器操作
模式选择
E
H
L
L
L
W
X
H
L
H
A12 - A0
（十六进制）
X
X
X
0000
1555
0AAA
1FFF
10F0
0F0F
0000
1555
0AAA
1FFF
10F0
0F0E
模式
未选择
读SRAM
写入SRAM
读SRAM
读SRAM
读SRAM
读SRAM
读SRAM
非易失性商店
读SRAM
读SRAM
读SRAM
读SRAM
读SRAM
非易失性召回
I / O
输出高Z
输出数据
输入数据
输出数据
输出数据
输出数据
输出数据
输出数据
输出高Z
输出数据
输出数据
输出数据
输出数据
输出数据
输出高Z
动力
待机
活跃
活跃
活跃
笔记
m
K，L
K，L
K，L
K，L
K，L
k
K，L
K，L
K，L
K，L
K，L
k
L
H
活跃
这六个连续的地址必须按顺序列出（ 0000 ， 1555 ， 0AAA ， 1FFF ， 10F0 ， 0F0F ）的存储周期或
（ 0000 ， 1555 ， 0AAA ， 1FFF ， 10F0 ， 0F0E ）为RECALL周期。 W¯¯必须在所有六个连续的周期高点。
请参阅存储周期和RECALL周期的表格和图表的进一步细节。
下面六个地址序列被用于测试目的，而不应被使用：0000 ， 1555 ， 0AAA ， 1FFF ， 10F0 ， 139C 。
L：非易失性周期的激活不依赖于G的状态
M： I / O状态的假设使得G
≤
V
IL
.
k:
PowerStore
号
上电RECALL
24上电RECALL时间
N，E
符号
条件
Alt键。
t
恢复
电源（体积）
踏歌必须保持高于
3.6伏为至少
开始后10毫秒
商店
手术
IEC
650
μs
分钟。
马克斯。
单位
25 STORE周期的持续时间
f
t
PDSTORE
10
ms
26
时间可以完成SRAM周期
f,
e
t
延迟
V
开关
4.0
1
4.5
μs
V
低电压触发电平
n:
t
恢复
开始从时间V
CC
上升超过V
开关
.
2006年3月31日
沙头角管制＃ ML0052
7
1.0版
SIMTEK [ SIMTEK CORPORATION ]
