UL634H256
非易失性存储器操作
模式选择
E
H
L
L
L
W
X
H
L
H
HSB
H
H
H
H
A13 - A0
（十六进制）
X
X
X
0E38
31C7
03E0
3C1F
303F
0FC0
0E38
31C7
03E0
3C1F
303F
0C63
X
模式
未选择
读SRAM
写入SRAM
读SRAM
读SRAM
读SRAM
读SRAM
读SRAM
非易失性商店
读SRAM
读SRAM
读SRAM
读SRAM
读SRAM
非易失性召回
STORE /禁止
I / O
输出高Z
输出数据
输入数据
输出数据
输出数据
输出数据
输出数据
输出数据
输出高Z
输出数据
输出数据
输出数据
输出数据
输出数据
输出高Z
输出高Z
动力
待机
活跃
活跃
活跃
笔记
l
K，L
K，L
K，L
K，L
K，L
k
K，L
K，L
K，L
K，L
K，L
k
m
L
H
H
活跃
X
k:
X
L
I
CC2
/待机
这六个连续的地址必须按顺序列出（ 0E38 ， 31C7 ， 03E0 ， 3C1F ， 303F ， 0FC0 ）的存储周期或（ 0E38 ， 31C7 ， 03E0 ， 3C1F ，
303F ， 0C63 ）的RECALL周期。 W¯¯必须在所有六个连续的周期高点。请参阅存储周期和RECALL周期表和平面图
克进一步的细节。
下面六个地址序列被用于测试目的，而不应被用于： 0E38 ， 31C7 ， 03E0 ， 3C1F ， 303F ， 339℃ 。
L： I / O状态的假设使得G
≤
V
IL
。非易失性的周期激活不依赖于G的状态
M： HSB发起STORE操作实际发生只有一个WRITE已经从去年STORE操作完成。后保存（如果有的话）
完成后，该部分将进入待机模式，禁止所有的操作，直到HSB上升。
PowerStore
上电RECALL /
号
硬件控制STORE
24上电RECALL时间
N，E
25 STORE周期的持续时间
26 HSB低，以抑制在
e
27 HSB高，以抑制关
e
28外挂脉宽
e
HSB输出低电流
E，O
HSB高输出电流
E，O
低电压触发电平
n:
o:
符号
条件
Alt键。
t
恢复
t
HLQX
t
HLQZ
t
HHQX
t
HLHX
I
HSBOL
I
HSBOH
V
开关
t
Ð （H ）S
t
DIS （H ）S
t
EN （H ）S
t
瓦特（H ）S
HSB = V
OL
HSB = V
IL
20
1.8
5
2.4
60
2.7
V
CC
> 2.7 V
500
700
IEC
650
10
μs
ms
ns
ns
ns
mA
μA
V
分钟。
马克斯。
单位
t
恢复
开始从时间V
CC
上升超过V
开关
.
HSB是I / O ，有一个星期的内部上拉电阻;它基本上是一个开漏输出。它的目的是允许多达32 UL634H256要联动
共同为同步存储。不要使用HSB上拉至任何外部电路比其他UL634H256 HSB引脚等。
2006年8月15日
沙头角管制＃ ML0058
7
版本1.1
SIMTEK [ SIMTEK CORPORATION ]
