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UL634H256SC45G1 参数 Datasheet PDF下载

UL634H256SC45G1图片预览
型号: UL634H256SC45G1
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内容描述: 低电压POWERSTORE 32K ×8 NVSRAM [Low Voltage PowerStore 32K x 8 nvSRAM]
分类和应用: 内存集成电路静态存储器光电二极管
文件页数/大小: 15 页 / 352 K
品牌: SIMTEK [ SIMTEK CORPORATION ]
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UL634H256
软件控制的存储/调用循环
T,U , V,W
( E = STORE开始后高)
t
cR
(29)
t
cR
(29)
地址6
t
H( A) SR
(35)
t
W( E) SR
t
DIS ( E)
(5)
(34)
(33)
t
SU( A) SR
t
ð (E )S
(31)
t
ð (E )R
(32)
Ai
E
DQI
产量
地址1
(34)
t
SU( A) SR
(33)
高阻抗
t
W( E) SR
(35)
t
H( A) SR
有效
有效
t
DIS ( E) SR
(30)
软件控制的存储/调用循环
T,U , V,W
( STORE开始后E = LOW )
t
cR
(29)
Ai
E
DQI
产量
t
SU( A) SR
(33)
地址1
t
W( E) SR
(34)
(35)
t
H( A) SR
(33)
地址6
t
H( A) SR
t
ð (E )S
(31)
有效
t
DIS ( E) SR
(30)
(35)
高阻抗
t
SU( A) SR
t
ð (E )R
(32)
有效
U:如果芯片使能脉冲宽度小于吨
一( E)
(见读周期),但大于或等于t
W( E) SR
,则该数据可能不是在有效
低脉冲的结尾,但在存储或调用将仍然被启动。
V :W必须为高电平时, E为低以便启动非易失性周期的地址序列中。 G可以是高或低
贯穿始终。地址1至6中发现的模式选择表。地址6确定是否UL634H256执行
存储或调用。
W: E必须用于时钟的地址序列为软件控制STORE和RECALL周期
2006年8月15日
沙头角管制# ML0058
9
版本1.1