SBL845 参数 Datasheet PDF下载

型号：	SBL845
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内容描述：	肖特基势垒二极管肖特基势垒二极管，低压降肖特基势垒二极管低VF肖特基势垒二极管， TJ = -40 ° C〜 125°C ， TJM = 125°C 。 [肖特基势垒二极管Schottky Barrier Diodes，低压降肖特基势垒二极管Low VF Schottky Barrier Diodes，Tj = -40°C ~ 125°C, Tjm = 125°C。]
分类和应用：	二极管
文件页数/大小：	2 页 / 82 K
品牌：	SIRECTIFIER [ SIRECTIFIER SEMICONDUCTORS ]

SBL830通SBL845

低V

肖特基势垒整流器器

峰值正向浪涌电流，

安培

图1 - 正向电流降额曲线

平均正向电流

安培

图2 - 最大非重复浪涌电流

300

250

200

150

100

电阻或

感性负载

8.3ms单半正弦波

（ JEDEC的方法）

100

125

150

175

外壳温度，C

循环次数在60Hz

图3 - 典型的反向特性

1000

图4 - 典型正向特性

100

瞬时正向电流（ A）

瞬时

反向电流（毫安）

100

= 100 C

= 75 C

1.0

0.1

= 25 C

脉冲宽度300ua

300us

2 ％的占空比

0.01

100

120

140

0.1

0.2

0.3

0.4

0.5

1999额定峰值反向电压百分比（％）

0.6

0.7

0.8

0.9

1.0

正向电压，伏

图5 - 典型结电容

10000

电容（PF ）

1000

= 25°C ， F = 1MHz的

100

0.1

100

反向电压，伏

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