SGA - 9189中功率分立硅锗晶体管
最大推荐工作
耗散功率
1.20
总消耗的功率（ W）
绝对最大额定值
参数
最大基极电流（I
B
)
设备的最大电流（I
CE
)
最大集电极 - 发射极电压（V
首席执行官
)
最大集电极 - 基极电压（V
CBO
)
最大发射极 - 基极电压（V
EBO
)
马克斯。结温。 （T
J
)
工作温度RANGE （T
L
)
马克斯。储存温度。
*注意：
负载条件下，Z
L
= 50欧姆
绝对限制
5毫安
200毫安
7V
20 V
4.8 V
+150°C
请参阅图表
+150°C
1.00
0.80
0.60
0.40
0.20
0.00
-40
-10
20
50
80
110
140
焊接温度（ C）
操作限制（ Tj<130C ）
此设备之外的这些限制中任一项的操作可能会引起
永久性损坏。为了保证可靠的连续运行，设备
电压和电流必须不超过最大工作值
1页表中指定。
偏置条件也应满足下面的表达式：
T
L
=T
领导
I
D
V
D
< （T
J
- T
L
) / R
TH
J-升
典型表现 - 工程应用电路（见AN- 021 ）
频率
（兆赫）
945
1960
2140
2440
1
V
CE
(V)
5
5
5
5
I
CQ
（MA ）
184
179
180
180
P1dB的OIP3
1
（ dBm的）（ dBm的）
25.8
25.5
25.4
25.4
39.5
40.0
39.0
40.0
收益
（ dB）的
18.8
12.2
11.3
10.2
S11
（ dB）的
-14
-23
-20
-20
S 22
（ dB）的
-26
-21
-14
-17
NF
（ dB）的
2.1
2.4
2.6
2.7
Z
SOPT
(Ω )
Ω
6.8 - j0.85
7.6 - j11.2
18.1 + j3.4
5.6 - j15.1
Z
LOPT
(Ω )
Ω
16 + j5.9
22.8 + j0.7
23.8 - j9.0
23.1 - j2.7
P
OUT
=每口气+10 dBm的为V
CE
= 5V ， 1 MHz的音调间隔
频率
（兆赫）
945
1960
2440
2
V
CE
(V)
3
3
3
I
CQ
（MA ）
165
162
165
P1dB的OIP3
2
（ dBm的）（ dBm的）
22.1
22.4
23.2
34.3
35.0
35.3
收益
（ dB）的
17.7
11.8
9.9
S11
（ dB）的
-18
-18
-20
S 22
（ dB）的
-11
-16
-15
NF
（ dB）的
2.1
2.2
2.6
Z
SOPT
(Ω )
Ω
9.6 - j1.6
7.8 - j13.1
8.1 - j16.0
Z
LOPT
(Ω )
Ω
11.0 + j1.4
19.3 - j2.9
21.0 - j6.5
P
OUT
= +6 dBm的每个音V
CE
= 3V ， 1 MHz的音调间隔
以上数据体现在应用笔记AN- 021指出，应用电路典型表现。参考应用程序
注意额外的RF数据，PCB布局，并为每个应用电路材料明细表。本应用笔记还包括偏置
说明等重点需要考虑的问题。有关最新的应用笔记，请访问我们的网站www.sirenza.com或
请致电您当地的销售代表。
C
B
Z
LOPT
Z
SOPT
E
303 S.技术的Ct 。
布鲁姆菲尔德，CO 80021
电话： （ 800 ） SMI- MMIC
http://www.sirenza.com
EDS - 101497冯ħ
2
SIRENZA [ SIRENZA MICRODEVICES ]
