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SGA-9189 参数 Datasheet PDF下载

SGA-9189图片预览
型号: SGA-9189
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内容描述: 中功率分立SiGe半导体晶体管 [Medium Power Discrete SiGe Transistor]
分类和应用: 晶体半导体晶体管射频微波
文件页数/大小: 4 页 / 99 K
品牌: SIRENZA [ SIRENZA MICRODEVICES ]
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SGA - 9189中功率分立硅锗晶体管
去嵌入S参数(Z
S
=Z
L
= 50欧姆,V
CE
= 5V ,我
CQ
= 185毫安, 25
°
C)
45
35
插入增益&隔离
5
-5
25
15
5
收益
隔离
-15
-25
GMAX
-35
-45
-5
0
1
2
3
4
5
6
7
8
30
25
20
15
10
5
0
-5
-10
0
插入增益与温度
增益与温度( dB)的
隔离度(dB )
增益(dB )
T = -40 , 25 , 85°C
1
2
3
4
5
6
7
8
频率(GHz )
S11与频率
1.0
0.5
频率(GHz )
S22与频率
1.0
2.0
0.5
2.0
4 GHz的
5 GHz的
3 GHz的
4 GHz的
3 GHz的
5.0
0.2
5 GHz的
0.2
2 GHz的
8 GHz的
1 GHz的
5.0
2 GHz的
8 GHz的
1 GHz的
0.0
0.2
0.5
1.0
2.0
5.0
INF
0.0
0.2
0.5
1.0
2.0
5.0
INF
S11
0.2
5.0
0.2
5.0
50兆赫
S22
50兆赫
0.5
2.0
0.5
2.0
1.0
1.0
注意: S参数去嵌入到设备导致以Z
S
=Z
L
= 50Ω 。该数据表示该装置的典型的服务表现。
去嵌入S参数可以从我们的网站下载( www.sirenza.com ) 。
400
350
300
DC -IV曲线
I
b
= 0.4 - 5.8毫安, 0.4毫安步骤
T=25C
I
C
(MA )
250
200
150
100
50
0
0
2
4
6
8
V
CE
(V)
303 S.技术的Ct 。
布鲁姆菲尔德,CO 80021
电话: ( 800 ) SMI- MMIC
http://www.sirenza.com
EDS - 101497冯ħ
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