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CXK581000ATM-70LL 参数 Datasheet PDF下载

CXK581000ATM-70LL图片预览
型号: CXK581000ATM-70LL
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内容描述: 131072字×8位高速CMOS静态RAM [131072-word x 8-bit High Speed CMOS Static RAM]
分类和应用:
文件页数/大小: 12 页 / 290 K
品牌: SONY [ SONY CORPORATION ]
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CXK581000ATM/AYM/AM/AP
Data Retention Waveform
Low supply voltage data retention waveform (1) : CE1 control
t
CDRS
V
CC
4.5V
2.2V
V
DR
CE1
GND
CE1 ≥ V – 0.2V
CC
Data retention mode
t
R
Low supply voltage data retention waveform (2) : CE2 control
Data retention mode
V
CC
4.5V
CE2
V
DR
0.4V
GND
t
CDRS
t
R
CE2 ≤ 0.2V
Data Retention Characteristics
Item
Data retention voltage
Symbol
V
DR
1
LL
2
I
CCDR1
Data retention current
V
CC
= 3.0V
1
SL
3
2
1
LL
V
CC
= 2.0V to 5.5V
SL
3
Chip disable to data retention mode
0 to +70°C
0 to +40°C
+25°C
0 to +70°C
0 to +40°C
+25°C
Test conditions
Min.
2.0
0
5
(Ta = 0 to +70°C)
Typ.
0.4
0.15
0.7
0.3
Max.
5.5
12
2.4
1.2
4
0.8
0.3
20
12
ns
ms
µA
Unit
V
I
CCDR2
Data retention setup
time
Recovery time
t
CDRS
t
R
Note)
1 CE1
V
CC
– 0.2V, CE2
V
CC
– 0.2V [CE1 Control] or CE2
0.2V [CE2 Control]
2 For -55LL/70LL/10LL
3 For -55SL/70SL/10SL
–8–