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    CXK581000ATM-55LL 参数 Datasheet PDF下载

    CXK581000ATM-55LL图片预览
    型号： CXK581000ATM-55LL
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 131072字×8位高速CMOS静态RAM [131072-word x 8-bit High Speed CMOS Static RAM]
    分类和应用：
    文件页数/大小： 12 页 / 290 K
    品牌： SONY [ SONY CORPORATION ]
     浏览型号CXK581000ATM-55LL的Datasheet PDF文件第3页浏览型号CXK581000ATM-55LL的Datasheet PDF文件第4页浏览型号CXK581000ATM-55LL的Datasheet PDF文件第5页浏览型号CXK581000ATM-55LL的Datasheet PDF文件第6页浏览型号CXK581000ATM-55LL的Datasheet PDF文件第8页浏览型号CXK581000ATM-55LL的Datasheet PDF文件第9页浏览型号CXK581000ATM-55LL的Datasheet PDF文件第10页浏览型号CXK581000ATM-55LL的Datasheet PDF文件第11页  
    CXK581000ATM/AYM/AM/AP
    •写周期（ 2 ） ：
    CE1控制
    t
    WC
    地址
    t
    AW
    OE
    t
    AS
    CE1
    t
    CW
    CE2
    t
    WP
    WE
    t
    DW
    DATA IN
    数据有效
    t
    DH
    t
    CW
    t
    WR1
    (
    ∗
    3)
    数据输出
    高阻抗
    •写周期（ 3 ） ：
    CE2控制
    t
    WC
    地址
    t
    AW
    OE
    t
    CW
    CE1
    t
    AS
    CE2
    t
    WP
    WE
    t
    DW
    DATA IN
    数据有效
    t
    DH
    t
    OW
    CW
    t
    WR1
    (
    ∗
    3)
    数据输出
    高阻抗
    ∗
    写1时，执行两种CE1 ，我们是在低温和CE2为高同时进行。
    ∗
    2做相反相位的数据输入电压不适用于输出，而I / O引脚处于输出状态。
    ∗
    3
    t
    WR1
    是CE1的任一上升沿或CE2的下降沿，以较早者为准来进行测试，直到
    在写周期的结束。
    –7–

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