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    CXK581000ATM-55LL 参数 Datasheet PDF下载

    CXK581000ATM-55LL图片预览
    型号： CXK581000ATM-55LL
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 131072字×8位高速CMOS静态RAM [131072-word x 8-bit High Speed CMOS Static RAM]
    分类和应用：
    文件页数/大小： 12 页 / 290 K
    品牌： SONY [ SONY CORPORATION ]
     浏览型号CXK581000ATM-55LL的Datasheet PDF文件第1页浏览型号CXK581000ATM-55LL的Datasheet PDF文件第2页浏览型号CXK581000ATM-55LL的Datasheet PDF文件第3页浏览型号CXK581000ATM-55LL的Datasheet PDF文件第5页浏览型号CXK581000ATM-55LL的Datasheet PDF文件第6页浏览型号CXK581000ATM-55LL的Datasheet PDF文件第7页浏览型号CXK581000ATM-55LL的Datasheet PDF文件第8页浏览型号CXK581000ATM-55LL的Datasheet PDF文件第9页  
    CXK581000ATM/AYM/AM/AP
    I / O容量
    项
    输入电容
    I / O容量
    符号
    C
    IN
    C
    I / O
    测试条件
    V
    IN
    = 0V
    V
    I / O
    = 0V
    分钟。
    —
    —
    （ TA = 25 ° C，F = 1MHz的）
    典型值。
    —
    —
    马克斯。
    7
    8
    单位
    pF
    注）
    这个参数进行采样，而不是100％测试。
    AC特性
    • AC测试条件
    项
    输入脉冲高电平
    输入脉冲低电平
    输入上升时间
    输入下降时间
    输入和输出参考电平
    -55LL/55SL
    输出负载条件
    -70LL/70SL
    -10LL/10SL
    ∗
    C
    L
    包括范围和夹具电容。
    (V
    CC
    = 5V ±10 ％ ，TA = 0〜 + 70 ° C）
    条件
    V
    IH
    = 2.2V
    V
    IL
    = 0.8V
    TTL
    •测试电路
    t
    R =为5ns
    t
    F =为5ns
    1.5V
    C
    L
    ∗
    = 30pF的， 1TTL
    C
    L
    ∗
    = 100pF的， 1TTL
    C
    L
    –4–

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