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    CXK5T16100TM-12LLX 参数 Datasheet PDF下载

    CXK5T16100TM-12LLX图片预览
    型号： CXK5T16100TM-12LLX
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 65536字×16位高速CMOS静态RAM [65536-word x 16-bit High Speed CMOS Static RAM]
    分类和应用：
    文件页数/大小： 10 页 / 140 K
    品牌： SONY [ SONY CORPORATION ]
     浏览型号CXK5T16100TM-12LLX的Datasheet PDF文件第2页浏览型号CXK5T16100TM-12LLX的Datasheet PDF文件第3页浏览型号CXK5T16100TM-12LLX的Datasheet PDF文件第4页浏览型号CXK5T16100TM-12LLX的Datasheet PDF文件第5页浏览型号CXK5T16100TM-12LLX的Datasheet PDF文件第6页浏览型号CXK5T16100TM-12LLX的Datasheet PDF文件第7页浏览型号CXK5T16100TM-12LLX的Datasheet PDF文件第8页浏览型号CXK5T16100TM-12LLX的Datasheet PDF文件第10页  
    CXK5T16100TM
    数据保存波形
    •
    低电源电压数据保存波形
    t
    CDRS
    V
    CC
    2.7V
    2.0V
    V
    DR
    CE
    GND
    数据保持方式
    t
    R
    CE
    ≥
    V
    CC
    – 0.2V
    数据保持特性
    项
    数据保持电压
    符号
    V
    DR
    测试条件
    CE
    ≥
    V
    CC
    – 0.2V
    -25至+ 85°C
    数据保持电流
    I
    CCDR1
    V
    CC
    = 3.0V
    -25至+ 70°C
    +25°C
    I
    CCDR2
    数据保留
    建立时间
    恢复时间
    V
    CC
    = 2.0〜 3.6V
    芯片禁用到数据
    保持方式
    分钟。
    2.0
    —
    —
    —
    —
    0
    5
    （大= -25〜 + 85°C ）
    典型值。
    —
    —
    —
    0.4
    0.48
    ∗
    1
    —
    —
    马克斯。
    3.6
    24
    12
    —
    28
    —
    —
    µA
    ns
    ms
    µA
    单位
    V
    t
    CDRS
    t
    R
    ∗
    1
    V
    CC
    = 3.3V ， TA = 25℃
    –9–

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