欢迎访问ic37.com |
会员登录 免费注册
发布采购

CXK5T16100TM-12LLX 参数 Datasheet PDF下载

CXK5T16100TM-12LLX图片预览
型号: CXK5T16100TM-12LLX
PDF下载: 下载PDF文件 查看货源
内容描述: 65536字×16位高速CMOS静态RAM [65536-word x 16-bit High Speed CMOS Static RAM]
分类和应用:
文件页数/大小: 10 页 / 140 K
品牌: SONY [ SONY CORPORATION ]
 浏览型号CXK5T16100TM-12LLX的Datasheet PDF文件第1页浏览型号CXK5T16100TM-12LLX的Datasheet PDF文件第2页浏览型号CXK5T16100TM-12LLX的Datasheet PDF文件第4页浏览型号CXK5T16100TM-12LLX的Datasheet PDF文件第5页浏览型号CXK5T16100TM-12LLX的Datasheet PDF文件第6页浏览型号CXK5T16100TM-12LLX的Datasheet PDF文件第7页浏览型号CXK5T16100TM-12LLX的Datasheet PDF文件第8页浏览型号CXK5T16100TM-12LLX的Datasheet PDF文件第9页  
CXK5T16100TM
DC推荐工作条件
电源电压
输入高电压
输入低电压
符号
V
CC
V
IH
V
IL
V
CC
= 2.7〜 3.6V
分钟。
2.7
2.4
–0.3
1
典型值。
3.3
马克斯。
3.6
V
CC
+ 0.3
0.4
分钟。
3.0
2.0
–0.3
1
(大= -25〜 + 85°C , GND = 0V )
V
CC
= 3.3V ± 0.3V
典型值。
3.3
马克斯。
3.6
V
CC
+ 0.3
0.8
V
单位
1
V
IL
= -3.0V最小。脉冲宽度小于50ns 。
电气特性
DC和工作特性
输入漏
当前
输出漏
当前
操作
电源
当前
符号
I
LI
测试条件
V
IN
= GND到V
CC
CE = V
IH
或UB = V
IH
或LB = V
IH
or
OE = V
IH
或WE = V
IL
V
I / O
= GND到V
CC
CE = V
IL
V
IN
= V
IH
或V
IL
I
OUT
= 0毫安
分钟。周期
占空比= 100 %
I
OUT
= 0毫安
周期时间为1μs
占空比= 100 %
I
OUT
= 0毫安
CE
0.2V
V
IL
0.2V
V
IH
V
CC
– 0.2V
-25至+ 85°C
待机电流
I
SB1
CE
V
CC
– 0.2V
-25至+ 70°C
+25°C
I
SB2
产量
高压
产量
低电压
V
OH
V
OL
CE = V
IH
I
OH
= -2.0mA
I
OL
= 2.0毫安
(V
CC
= 2.7〜 3.6V , GND = 0V ,TA = -25至+ 85°C )
分钟。
–1
典型值。
2
马克斯。
1
单位
µA
I
LO
–1
1
µA
I
CC1
1
3
mA
I
CC2
平均
工作电流
I
CC3
35
50
mA
10
20
mA
2.4
0.48
0.03
28
14
0.6
0.4
mA
V
V
µA
2
V
CC
= 3.3V , TA = 25℃
–3–