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    S29GL064N90BFI030 参数 Datasheet PDF下载

    S29GL064N90BFI030图片预览
    型号： S29GL064N90BFI030
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 64兆， 32兆3.0伏只页面模式闪存设有110纳米的MirrorBit工艺技术 [64 Megabit, 32 Megabit 3.0-Volt only Page Mode Flash Memory Featuring 110 nm MirrorBit Process Technology]
    分类和应用： 闪存
    文件页数/大小： 79 页 / 3123 K
    品牌： SPANSION [ SPANSION ]
     浏览型号S29GL064N90BFI030的Datasheet PDF文件第62页浏览型号S29GL064N90BFI030的Datasheet PDF文件第63页浏览型号S29GL064N90BFI030的Datasheet PDF文件第64页浏览型号S29GL064N90BFI030的Datasheet PDF文件第65页浏览型号S29GL064N90BFI030的Datasheet PDF文件第67页浏览型号S29GL064N90BFI030的Datasheet PDF文件第68页浏览型号S29GL064N90BFI030的Datasheet PDF文件第69页浏览型号S29GL064N90BFI030的Datasheet PDF文件第70页  
    D at a
    S hee t
    Table 15.2
    Hardware Reset (RESET#)
    Parameter
    JEDEC
    Std.
    t
    Ready
    t
    Ready
    t
    RP
    t
    RH
    t
    RPD
    t
    RB
    Note
    Not 100% tested.
    Description
    RESET# Pin Low (During Embedded Algorithms) to Read Mode
    (See Note)
    RESET# Pin Low (NOT During Embedded Algorithms) to Read Mode
    (See Note)
    RESET# Pulse Width
    Reset High Time Before Read
    (See Note)
    RESET# Input Low to Standby Mode
    (See Note)
    RY/BY# Output High to CE#, OE# pin Low
    Max
    Max
    Min
    Min
    Min
    Min
    All Speed Options
    20
    500
    500
    50
    20
    0
    Unit
    μs
    ns
    ns
    ns
    µs
    ns
    Figure 15.4
    Reset Timings
    RY/BY#
    CE#, OE#
    t
    RH
    RESET#
    t
    RP
    t
    Ready
    Reset Timings NOT during Embedded Algorithms
    Reset Timings during Embedded Algorithms
    t
    Ready
    RY/BY#
    t
    RB
    CE#, OE#
    t
    RH
    RESET#
    t
    RP
    Notes
    1. Not 100% tested.
    2. See the
    Erase And Programming Performance on page 73
    for more information.
    3. For 1–16 words/1–32 bytes programmed.
    66
    S29GL-N MirrorBit
    ®
    Flash Family
    S29GL-N_01_09 November 16, 2007

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