初步
Am29LV652D
128兆位（ 16一M× 8位） CMOS 3.0伏只
统一部门快闪记忆体与VersatileIO控制
特色鲜明
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两个64兆比特（ Am29LV065D ）在一个单一的63球11
X 12毫米FBGA封装（注：特征会
为每个内部Am29LV065D描述）
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两个芯片使能输入
- 每个CE＃控件选择一个内部的
Am29LV065D设备
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单电源工作
- 3.0到3.6伏读取，擦除和编程操作
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VersatileIO控制
- 设备产生的输出电压和输入容忍
DQ上的I / O电压由该电压测定
V
IO
输入
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高性能
- 存取时间快90纳秒
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在0.23微米制程技术制造的
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CFI （通用闪存接口）兼容
- 提供特定于设备的信息提供给系统，
使主机软件轻松进行重新配置
不同的闪存器件
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超低功耗（ 3.0 V典型值，
5兆赫）的一部分
- 9 mA典型有效的读电流
- 25 mA典型的擦除/编程电流
- 400 nA的典型待机模式电流
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灵活的部门架构
- 两百年56 64 KB的行业
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扇区保护
- 硬件方法锁定一个部门，以防止
该部门内部编程或擦除操作
- 扇区可以被锁定在系统或通过编程
设备
- 临时机构撤消功能允许代码
改变先前锁定行业
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嵌入式算法
- 嵌入式擦除算法自动
preprograms和擦除整个芯片或任何
指定界别组合
- 嵌入式程序算法自动写
并验证在指定地址的数据
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与JEDEC标准兼容
- 除了增加CE2 ＃的FBGA是引出线和
软件与单电源闪存兼容
- 高级无意写保护
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每个部门最少百万擦除周期保证
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63球FBGA封装
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擦除暂停/删除恢复
- 挂起擦除操作来读取数据，或
程序的数据，一个没有被擦除扇区，
然后恢复擦除操作
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数据＃查询和翻转位
- 提供了检测程序的软件或方法
擦除操作完成
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解锁绕道程序命令
- 发行时降低了总体规划的时间
多个程序的命令序列
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就绪/忙＃输出（ RY / BY ＃ ）
- 提供了检测程序的硬件方法或
擦除周期结束
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硬件复位输入（ RESET ＃ ）
- 硬件的方法来重置设备读取阵列
数据
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ACC输入
- 加速编程时间为更高的吞吐量
系统在生产过程中
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编程和擦除性能（V
HH
没有施加到
在ACC输入）
- 字节编程时间： 5微秒典型
- 扇区擦除时间： 1.6 s典型的每个64字节
扇形
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20年的数据保存在125°C
- 可靠运行的系统的寿命
该数据表规定了AMD的关于本文描述的产品目前的技术规范。此数据
片可以通过后续的版本或修改由于改变的技术规格进行修改。
出版＃
24961
启：
A
Amendment/+4
发行日期：
2004年10月29日
请参考AMD的网站（ www.amd.com ）了解最新信息。
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