P ř Ë L I M I N A RŸ
概述
该Am29LV652D是128兆， 3.0伏（ 3.0 V至3.6
V）单电源闪存设备组织
如在单一的63球的FBGA 2 Am29LV065D骰子
封装。每个Am29LV065D是64兆， 3.0伏
（ 3.0 V至3.6 V）单电源闪存DE-
副组织为8,388,608字节。数据显示在
DQ0 - DQ7 。该设备被设计为被编程
在系统与标准系统3.0伏V
CC
支持
层。 12.0伏V
PP
不需要程序或
擦除操作。该Am29LV652D配备
2 CE＃ S表示两个接口之间灵活选择
最终64 Mb的设备。该装置还可以亲
编程标准EPROM编程器。
该Am29LV652D提供的90和120的访问时间
NS和63球FBGA封装提供。为了消除
内特总线争用的Am29LV652D设备包含
两个独立的芯片使能（ CE ＃和CE2 ＃ ） 。每个芯片
使能（CE ＃或CE2 ＃ ）被连接到仅一个的
两个骰子在Am29LV652D包。
到系
统，该装置是一样的两个独立的
Am29LV065D在同一块板上。在唯一的区别
EnCE的是，现在打包在一起，以重新
领袖的电路板空间。
只有每个设备都需要
单3.0伏电源
供应
（ 3.0 V至3.6 V ），用于读取和写入功能
系统蒸发散。内部产生，调节电压
所规定的程序和擦除操作。
该设备完全指令集兼容
该
JEDEC单电源闪存标准。
命令使用写入命令寄存器
标准的微处理器写时序。寄存器可
帐篷作为输入到内部状态机
控制擦除和编程电路。写
循环内部也锁存地址和数据
所需的编程和擦除操作。
读出的数据的设备类似于阅读
其他Flash或EPROM器件。
器件编程时通过执行程序
命令序列。这将启动
嵌入式
节目
算法的内部算法，自动
matically次编程脉冲宽度和验证
适当的细胞保证金。解锁旁路模式设施
大老通过要求只有两个更快的编程时间
写周期编程数据，而不是四个。
设备出现擦除通过执行擦除的COM
命令序列。这将启动
嵌入式擦除
算法的内部算法，可以自动
preprograms阵列（如果它尚未亲
编程）执行擦除操作之前。能很好地协同
次擦除自动荷兰国际集团的擦除，所述装置
脉冲宽度和验证正确的细胞保证金。
该
VersatileI / O ™
(V
IO
）控制允许主机系
统设置的电压电平，该装置产生
在其数据输出端和电压耐受在其数据
输入到相同的电压电平被置上
V
IO
。这使得该设备在3 V或5 V电源供电
根据需要的系统环境。对于电压等级
低于3 V ，与AMD的代表，了解更多IN-
形成。
主机系统可以检测是否一个程序或
擦除操作完成，通过观察RY / BY ＃ ，由
阅读DQ7 （数据＃查询） ，或DQ6 （切换）
台站
状态位。
经过编程或擦除周期完成后，
该设备已准备好读取阵列数据或接受AN-
其他命令。
该
扇区擦除架构
允许内存节
器进行擦除和重新编程，而不影响
其他部门的数据内容。该装置是完全
从工厂发货时被擦除。
硬件数据保护
措施包括一个低
V
CC
探测器可以自动抑制写操作
在电源转换系统蒸发散。硬件部门
保护功能将禁用这两个编程和擦除
操作中的存储器扇区的任意组合。
这可以在系统内或通过编程来实现
设备。
该
擦除暂停/删除恢复
功能使
用户将擦除搁置任何时间
读取数据，或程序数据，即任何扇区
未选择删除。真正的背景擦除即可
由此来实现。
该
硬件RESET ＃
终止在任何操作
进度和复位内部状态机
读阵列数据。 RESET＃可连接到系统
复位电路。系统复位将因此也重
该装置，使系统的微处理器，以
读取来自闪存设备引导固件。
该器件提供了一个
待机模式
作为节电
功能。一旦系统会将设备进
待机状态下的功耗大大降低。
该
加速计划（ ACC ）
功能允许
系统对器件编程以更快的速率。
当ACC被拉高至V
HH
，器件进入
解锁旁路模式，使得用户能够减少
必要的时候做的程序操作。此功能
意在系增加工厂产量
统的生产，但也可以使用在该领域如果DE-
sired 。
AMD的闪存技术，结合多年的闪光
内存制造经验，生产的
的质量，可靠性和成本effective-最高水平
内斯。该装置电擦除内所有的位
通过福勒- Nordheim隧穿部门同时进行。
的数据是使用热电子注入编程。
2
Am29LV652D
2004年10月29日
SPANSION [ SPANSION ]
