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AM29LV640MH 参数 Datasheet PDF下载

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型号: AM29LV640MH
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内容描述: 64兆位(4M ×16位/ 8的M× 8位)的MirrorBit 3.0伏特,只有统一部门快闪记忆体与VersatileI / O控制 [64 Megabit (4 M x 16-Bit/8 M x 8-Bit) MirrorBit 3.0 Volt-only Uniform Sector Flash Memory with VersatileI/O Control]
分类和应用:
文件页数/大小: 62 页 / 1108 K
品牌: SPANSION [ SPANSION ]
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D A T A中文ê (E T)
当嵌入式编程算法完成,
那么设备返回到读模式和管理者
礼服不再锁定。该系统可以阻止 -
通过使用挖掘程序操作的状态
DQ7或DQ6 。参阅
写操作状态
重刑对这些状态位的信息。
该雇期间写入设备的任何命令
床的程序算法被忽略。注意,以
硬件复位
立即终止程序
操作。该计划的命令序列,应
能够重新启动,一旦设备已经返回到读
模式,以确保数据的完整性。
注意,在ACC
功能和开锁旁路模式不可用
当SecSi扇区被启用。
编程允许以任何顺序和跨
扇区边界。
有一点不能被编程
从“0”回到“ 1”。
尝试这样做可能
导致设备设置DQ5 = 1,或导致DQ7
和DQ6状态位,指示操作是suc-
cessful 。然而,随后的读操作将表明,该
数据仍然是“0”。只有擦除操作可以转换为“0”
到一个“1”。
解锁绕道命令序列
解锁旁路功能,使系统能够亲
克的话到设备的速度比使用标
准程序命令序列。解锁绕道
命令序列时,首先写两个非启动
锁定周期。这之后是第三个写周期CON-
泰宁解锁旁路命令, 20H 。该装置
然后进入解锁旁路模式。两周期非
锁绕道程序命令序列是所有的
在这种模式下,以编程所需。在这个第一周期
序列包含解锁绕道程序的COM
普通话:A0H ;在第二个周期中包含的程序
地址和数据。附加的数据编程在
以相同的方式。此模式省去了初始
在标准程序需要两个解锁周期
命令序列,从而导致更快的总编程
明时。表
10
11
显示的要求
该命令序列。
在解锁旁路模式中,只有解锁附例
通过计划和解锁绕道复位命令
是有效的。要退出解锁旁路模式下,系统
必须发出两个周期的解锁旁路复位的COM
命令序列。在第一周期中必须包含数据
90H 。第二个周期中必须包含的数据00H 。该
然后设备返回到读模式。
写缓冲区编程
写缓冲区编程允许系统写入到
最大为16个字/在一个编程的32个字节
操作。这样就可以快速有效的编程
时间比标准的编程算法。该
写缓冲器编程命令序列是initi-
通过先写两个解锁周期ated 。这之后是
通过含有写缓冲器负载的第三写周期
命令写在其中亲扇区地址
编程会发生。第四个周期写入扇区
地址和字位置的数量减去1 ,
进行编程。例如,如果系统将亲
克6独特的地址位置,然后05H应该是
写入器件。这告诉该设备有多少
写缓冲区地址将被加载的数据和
因此,当期望的程序缓冲区到Flash
命令。的位置,以节目的数量可以不
超过写入缓冲区的大小或操作的意愿
中止。
第五个周期中写入第一地址位置和
数据进行编程。写缓冲页面SE-
地址位一lected
最大
–A
4
。所有后续AD-
连衣裙/ datapairsmust发llwithinthe
选择写入缓冲区页。然后,系统写入
其余的地址/数据对写入写缓冲器。
写缓存位置可以以任何顺序进行加载。
写入缓冲页地址必须是相同的
所有的地址/数据对加载到写入缓冲器。
(这意味着写缓冲区编程无法进行
在多个写缓存的页面构成。这也
也就是说写缓冲区编程无法进行
在多个部门组成。如果系统尝试
加载所选择的外侧的编程数据
写缓存页面,操作将中止。
注意,如果一个写缓冲器地址位置是装载
多次时,地址/数据对计数器将
递减为每个数据加载操作。主人
systemmustthere FO reaccount FO rloadinga
写缓冲单元不止一次。计数器
减为每个数据负荷运行,而不是针对每个
独特的写缓冲区地址的位置。还需要注意的是,如果
地址位置加载不止一次进入
缓冲器,加载该地址的最后数据将
编程。
一旦写入缓冲区的位置指定号码
已加载,系统必须那么写的亲
克缓冲区以扇区地址flash命令。
任何其他地址和数据的组合中止
写缓冲区编程操作。然后设备
开始编程。数据轮询应使用
同时监测的最后一个地址位置装入
写缓冲区。 DQ7 , DQ6 , DQ5和DQ1应
监测,以确定写入过程中的设备状态
缓冲区编程。
写缓冲器编程操作可以是可持
使用标准程序挂起挂起/恢复
命令。在成功完成写的
缓冲区编程操作,该设备已准备好
执行下一个命令。
写缓冲区编程序列可以
中止在以下几个方面:
26
Am29LV640MH/L
二○○五年十二月十四日