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AM29LV640MH 参数 Datasheet PDF下载

AM29LV640MH图片预览
型号: AM29LV640MH
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内容描述: 64兆位(4M ×16位/ 8的M× 8位)的MirrorBit 3.0伏特,只有统一部门快闪记忆体与VersatileI / O控制 [64 Megabit (4 M x 16-Bit/8 M x 8-Bit) MirrorBit 3.0 Volt-only Uniform Sector Flash Memory with VersatileI/O Control]
分类和应用:
文件页数/大小: 62 页 / 1108 K
品牌: SPANSION [ SPANSION ]
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D A T A中文ê (E T)
加载一个值,该值大于页缓冲器
位置数在大小节目
步骤。
写入到一个地址中比不同的扇区
1在写缓冲区的COM加载指定
命令。
写地址/数据对到不同的
写缓冲器页不是由所选择的所述一个
写缓存数据负载时的起始地址
进行操作的阶段。
写入的数据比对后,确认命令等
数据加载周期的指定的次数。
中止条件由DQ1 = 1 , DQ7 =指示
数据# (与加载的最后一个地址位置) , DQ6 =
肘和DQ5 = 0 。写至缓冲区中止复位
命令序列必须写入复位DE-
副进行下一个操作。需要注意的是完整的3周期
写入到缓冲区中止复位命令序列是重
quired使用写缓冲区编程功能时,
在解锁旁路模式。
加速计划
该器件提供加速方案业务
通过WP # / ACC引脚。当系统断言
V
HH
在WP # / ACC引脚,该设备可自动确保
逐张解锁旁路模式。该系统然后可以
写两个周期的解锁绕道程序命令
序列。该器件使用较高的电压
WP # / ACC引脚加速操作。
注意
WP # / ACC
脚绝不能在V
HH
运营
比加速编程,或设备损坏其它
可能会导致年龄。此外,没有外部上拉是必要请
埃森因为WP # / ACC引脚具有内部上拉
V
CC
.
图5示出了算法的编程操作
通报BULLETIN 。参阅
擦除和编程操作
表中的参数交流特性部分,
图17为时序图。
二○○五年十二月十四日
Am29LV640MH/L
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