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AM29PDS322DT10WMI 参数 Datasheet PDF下载

AM29PDS322DT10WMI图片预览
型号: AM29PDS322DT10WMI
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内容描述: 32兆位(2M ×16位) CMOS 1.8伏只( 1.8 V至2.2 V)同步读/写分页模式引导扇区闪存 [32 Megabit (2 M x 16-Bit) CMOS 1.8 Volt-only (1.8 V to 2.2 V) Simultaneous Read/Write Page-Mode Boot Sector Flash Memory]
分类和应用: 闪存存储内存集成电路
文件页数/大小: 51 页 / 844 K
品牌: SPANSION [ SPANSION ]
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中文ê (E T)
概述
该Am29PDS322D是32兆, 1.8 V ,仅限于Flash
内存组织为16位2,097,152字
每一个。该器件采用48球FBGA封装
年龄。本设备被设计在系进行编程
TEM与标准体系1.8 V V
CC
供应量。这
装置还可以在标准重新编程
EPROM编程器。
该Am29PDS322D提供了快速页面访问时间
40毫微秒为100毫微秒(随机存取时间在1.8伏至
2.2 V V
CC
) ,从而允许高速的微处理器的操作
处理机无需等待。为了消除总线conten-
和灰设备都有单独的芯片使能( CE ),写
使能(WE )和输出使能(OE )控制。该
页大小是4个字。
只有一个设备需要
单1.8伏电源支持
用于读取和写入功能。国内
产生并提供了用于调节电压
编程和擦除操作。
其他闪存部门,也可以永久地锁定自己
有代码。
DMS (数据管理软件)
允许系统
轻松利用先进的架构优势
的同时读通过允许/写产品线
清除EEPROM器件。 DMS也将使
系统软件被简化,因为其将执行所有
需要修改在文件结构中的数据的功能,
相对于单字节的修改。写或
更新一个特定数据段(一个电话号码或
的配置数据,例如)时,用户只需要
到状态这一段数据要被更新,并
其中,在更新的数据是存放在系统中。这
isanad VA ntagecomparedtosystem swhere
用户编写的软件必须保留旧的数据跟踪
位置,状态,逻辑到物理转换
数据到闪存装置(或存储器DE-
虎钳) ,等等。使用DMS ,用户编写的软件
并不需要与闪存接口二
正确。取而代之的是,用户的软件访问闪存
内存调用的只有六个功能之一。 AMD亲
提供了此类软件,以简化系统设计和软件
洁具一体化的努力。
该器件提供了与完整的兼容性
JEDEC单电源闪存命令集
标准。
命令被写入命令
注册使用标准的微处理器写时序。
读出的数据的设备类似于阅读
其他Flash或EPROM器件。
主机系统可以检测是否一个程序或
擦除操作完成,通过使用该设备
台站
状态位:
RY / BY #引脚, DQ7 (数据#投票)和
DQ6 / DQ2 (触发位) 。编程或擦除周期后,
已经完成时,该装置自动返回
为读模式。
扇区擦除架构
允许内存节
器进行擦除和重新编程,而不影响
其他部门的数据内容。该装置是完全
从工厂发货时被擦除。
硬件数据保护
措施包括一个低
V
CC
探测器可以自动抑制写操作
在电源转换系统蒸发散。该
硬件部门
保护
功能禁用这两个编程和擦除
在内存的部门的任何组合操作
ORY 。这可以在系统或通过编程来实现
明装。
该器件提供两种省电功能。当
地址已经稳定一段指定的量
时,器件进入
自动休眠模式。
该系统还可以将设备插入
待机模式。
功率消耗是很大的重
duced在这两种模式。
同时读/写操作与
零延迟
同时读/写架构提供
同时操作
通过将所述存储器
空间分成两个组。该装置可以整体提高
通过允许主机系统向亲系统性能
克,或立刻键和Si-擦除一家银行,然后
从其他银行multaneously读,零
潜伏期。这从等待释放系统
编程或擦除操作完成。
该装置被划分为列于下表中:
银行部门1
QUANTITY
8
7
SIZE
4 K字
56
32 K字
4兆位总
28兆位总
32 K字
银行2行业
QUANTITY
SIZE
Am29PDS322D特点
SecSi (安全硅)行业
是一个额外的64
K字节扇区能够被永久锁定
AMD或客户。该
SecSi标志位
( DQ7 )是
永久设置为1 ,如果部分是
工厂锁定,
并设置为0,如果
客户可锁定。
通过这种方式,客
Tomer的可锁定的部件不能被用于替换
工厂锁定的一部分。
工厂锁定部分提供了几个选项。该
SecSi扇区可存储一个安全的,随机的16字节
ESN (电子序列号) ,客户代码(亲
编程通过AMD的ExpressFlash服务) ,或
两者。顾客可锁定部件可利用SecSi
部门奖金的空间,读,写像任何
2
Am29PDS322D
2006年23569A5 12月4日,