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    MB84VD21194EM-70PBS 参数 Datasheet PDF下载

    MB84VD21194EM-70PBS图片预览
    型号： MB84VD21194EM-70PBS
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 堆叠MCP （多芯片封装）闪存和CMOS SRAM [Stacked MCP (Multi-Chip Package) FLASH MEMORY & SRAM CMOS]
    分类和应用： 闪存存储内存集成电路静态存储器
    文件页数/大小： 52 页 / 862 K
    品牌： SPANSION [ SPANSION ]
     浏览型号MB84VD21194EM-70PBS的Datasheet PDF文件第6页浏览型号MB84VD21194EM-70PBS的Datasheet PDF文件第7页浏览型号MB84VD21194EM-70PBS的Datasheet PDF文件第8页浏览型号MB84VD21194EM-70PBS的Datasheet PDF文件第9页浏览型号MB84VD21194EM-70PBS的Datasheet PDF文件第11页浏览型号MB84VD21194EM-70PBS的Datasheet PDF文件第12页浏览型号MB84VD21194EM-70PBS的Datasheet PDF文件第13页浏览型号MB84VD21194EM-70PBS的Datasheet PDF文件第14页  
    MB84VD2118XEM/2119XEM
    -70
    s
    电气特性
    1.直流特性
    参数
    输入漏电流
    输出漏电流
    RESET输入漏
    当前
    符号
    测试条件
    V
    IN
    = V
    SS
    到V
    CC
    F，V
    CC
    s
    V
    OUT
    = V
    SS
    到V
    CC
    F，V
    CC
    s
    V
    CC
    F = V
    CC
    F最大，V
    CC
    S = V
    CC
    s最大，
    RESET = 12.5 V
    t
    周期
    = 5 MHz的字节
    t
    周期
    = 5 MHz的字
    t
    周期
    = 1 MHz的字节
    t
    周期
    = 1 MHz的字
    价值
    民
    –1.0
    –1.0
    —
    —
    —
    —
    —
    —
    字节
    字
    字节
    字
    —
    —
    —
    —
    —
    —
    典型值
    —
    —
    —
    —
    —
    —
    —
    —
    —
    —
    —
    —
    —
    —
    最大
    +1.0
    +1.0
    35
    13
    15
    7
    7
    35
    48
    50
    48
    50
    35
    20
    单位
    µA
    µA
    µA
    mA
    mA
    mA
    mA
    mA
    mA
    mA
    I
    LI
    I
    LO
    I
    点亮
    闪光V
    CC
    工作电流
    （读） *
    1
    I
    CC1
    f
    CEF = V
    IL
    ,
    OE = V
    IH
    闪光V
    CC
    工作电流
    （编程/擦除） *
    2
    闪光V
    CC
    工作电流
    （同时读 - 程序） *
    5
    闪光V
    CC
    工作电流
    （同时读 - 擦除） *
    5
    闪光V
    CC
    工作电流
    （擦除暂停-计划）
    ACC输入漏
    当前
    SRAM V
    CC
    工作电流
    I
    CC2
    f
    I
    CC3
    f
    I
    CC4
    f
    I
    CC5
    f
    I
    LIA
    CEF = V
    IL
    ， OE = V
    IH
    CEF = V
    IL
    ， OE = V
    IH
    CEF = V
    IL
    ， OE = V
    IH
    CEF = V
    IL
    ， OE = V
    IH
    V
    CC
    F = V
    CC
    F最大，V
    CC
    S = V
    CC
    s最大，
    WP / ACC = V
    加
    最大
    V
    CC
    S = V
    CC
    s最大，
    CE1S = V
    IL
    ,
    CE2s = V
    IH
    t
    周期
    = 10 MHz的
    I
    CC1
    s
    —
    —
    —
    —
    —
    —
    —
    1
    40
    40
    8
    5
    mA
    mA
    mA
    µA
    µA
    SRAM V
    CC
    工作电流
    I
    CC2
    s
    t
    周期
    = 10 MHz的
    CE1S = 0.2 V ，
    CE2s = V
    CC
    秒 - 0.2 V吨
    周期
    = 1兆赫
    V
    CC
    F = V
    CC
    F最大， CEF = V
    CC
    ˚F ± 0.3 V ，
    RESET = V
    CC
    ˚F ± 0.3 V ，
    WP / ACC = V
    CC
    ˚F ± 0.3 V
    V
    CC
    F = V
    CC
    F最大， RESET = V
    SS
    ± 0.3 V,
    WP / ACC = V
    CC
    ˚F ± 0.3 V
    V
    CC
    F = V
    CC
    F最大， CEF = V
    SS
    ± 0.3 V,
    RESET = V
    CC
    ˚F ± 0.3 V ，
    WP / ACC = V
    CC
    ˚F ± 0.3 V ，
    V
    IN
    = V
    CC
    ˚F ± 0.3 V或V
    SS
    ± 0.3 V
    CE1S > V
    CC
    秒 - 0.2 V ， CE2s > V
    CC
    秒 - 0.2 V ，
    LB = UB > V
    CC
    S- 0.2 V或< 0.2 V
    CE1S > V
    CC
    秒 - 0.2 V或< 0.2 V ，
    CE2s < 0.2 V ，
    LB = UB > V
    CC
    秒 - 0.2 V或< 0.2 V
    闪光V
    CC
    待机电流
    闪光V
    CC
    待机电流
    （ RESET ）
    闪光V
    CC
    当前
    （自动睡眠模式） *
    3
    SRAM V
    CC
    待机
    当前
    SRAM V
    CC
    待机
    当前
    I
    SB1
    f
    I
    SB2
    f
    —
    1
    5
    I
    SB3
    f
    —
    1
    5
    µA
    I
    SB1
    s
    —
    —
    10
    µA
    µA
    I
    SB2
    s
    —
    —
    10
    （续）
    10

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