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    MB84VD21194EM-70PBS 参数 Datasheet PDF下载

    MB84VD21194EM-70PBS图片预览
    型号： MB84VD21194EM-70PBS
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 堆叠MCP （多芯片封装）闪存和CMOS SRAM [Stacked MCP (Multi-Chip Package) FLASH MEMORY & SRAM CMOS]
    分类和应用： 闪存存储内存集成电路静态存储器
    文件页数/大小： 52 页 / 862 K
    品牌： SPANSION [ SPANSION ]
     浏览型号MB84VD21194EM-70PBS的Datasheet PDF文件第2页浏览型号MB84VD21194EM-70PBS的Datasheet PDF文件第3页浏览型号MB84VD21194EM-70PBS的Datasheet PDF文件第4页浏览型号MB84VD21194EM-70PBS的Datasheet PDF文件第5页浏览型号MB84VD21194EM-70PBS的Datasheet PDF文件第7页浏览型号MB84VD21194EM-70PBS的Datasheet PDF文件第8页浏览型号MB84VD21194EM-70PBS的Datasheet PDF文件第9页浏览型号MB84VD21194EM-70PBS的Datasheet PDF文件第10页  
    MB84VD2118XEM/2119XEM
    -70
    s
    设备总线操作
    用户总线的运行表（闪光=字模式; CIOf = V
    CC
    楼SRAM =字模式; CIO们= V
    CC
    s)
    操作* *
    1, 3
    CEF CE1S CE2s OE
    H
    X
    L
    H
    X
    H
    X
    H
    X
    L
    X
    L
    H
    X
    L
    X
    L
    X
    L
    H
    WE
    SA
    LB
    UB
    DQ
    7
    到DQ
    0
    WP /
    DQ
    15
    到DQ
    8
    RESET ACC
    *
    5
    高-Z
    高-Z
    高-Z
    高-Z
    D
    OUT
    D
    IN
    D
    OUT
    D
    OUT
    高-Z
    D
    IN
    D
    IN
    高-Z
    X
    V
    ID
    X
    H
    X
    H
    X
    H
    H
    X
    X
    H
    X
    H
    X
    全备
    H
    H
    X
    H
    X
    H
    L
    H
    X
    H
    X
    H
    H
    L
    X
    X
    X
    X
    X
    X
    X
    X
    H
    X
    X
    X
    L
    X
    X
    H
    X
    X
    X
    L
    L
    H
    L
    L
    H
    X
    高-Z
    高-Z
    高-Z
    高-Z
    D
    OUT
    D
    IN
    D
    OUT
    高-Z
    D
    OUT
    D
    IN
    高-Z
    D
    IN
    X
    输出禁用
    L
    从Flash中读取*
    2
    写FLASH
    L
    L
    从SRAM读
    H
    L
    H
    X
    H
    L
    L
    写入SRAM
    临时机构
    组
    解除保护*
    4
    闪存硬件
    RESET
    引导扇区座
    写保护
    H
    L
    H
    X
    L
    X
    H
    L
    X
    X
    H
    X
    X
    X
    X
    L
    X
    X
    X
    X
    X
    X
    X
    X
    X
    X
    X
    X
    X
    X
    X
    X
    X
    高-Z
    X
    高-Z
    X
    L
    X
    X
    L
    注： L = V
    IL
    ，H = V
    IH
    ，X = V
    IL
    或V
    IH
    。见DC特性的电压等级。
    * 1 ：除表示该列的其他操作都被禁止。
    * 2 ：我们可以将V
    IL
    如果OE为V
    IL
    ， OE在V
    IH
    启动写操作。
    * 3 ：不适用CEF = V
    IL
    ， CE1S = V
    IL
    和CE2s = V
    IH
    的时间。
    * 4：这也是用于扩展的扇区组的保护。
    * 5 ： WP / ACC = V
    IL
    ;保护引导扇区。
    WP / ACC = V
    IH
    ;清除引导扇区保护。
    WP / ACC = V
    加
    （9V ） ;节目时间会减少40％ 。
    6

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