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    MB84VD22387EJ-90 参数 Datasheet PDF下载

    MB84VD22387EJ-90图片预览
    型号： MB84VD22387EJ-90
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 32M （ X16 ）闪存16M （ X16 ） SRAM接口FCRAM [32M (X16) FLASH MEMORY 16M (X16) SRAM Interface FCRAM]
    分类和应用： 闪存静态存储器
    文件页数/大小： 63 页 / 998 K
    品牌： SPANSION [ SPANSION ]
     浏览型号MB84VD22387EJ-90的Datasheet PDF文件第1页浏览型号MB84VD22387EJ-90的Datasheet PDF文件第3页浏览型号MB84VD22387EJ-90的Datasheet PDF文件第4页浏览型号MB84VD22387EJ-90的Datasheet PDF文件第5页浏览型号MB84VD22387EJ-90的Datasheet PDF文件第6页浏览型号MB84VD22387EJ-90的Datasheet PDF文件第7页浏览型号MB84VD22387EJ-90的Datasheet PDF文件第8页浏览型号MB84VD22387EJ-90的Datasheet PDF文件第9页  
    富士通半导体
    数据表
    DS05-50212-3E
    堆叠MCP （多芯片封装）Flash存储器FCRAM &
    CMOS
    32M （ × 16 ）Flash存储器&
    16M （ × 16 ） SRAM接口FCRAM
    MB84VD22386EJ/VD22387EJ/VD22388EJ-85/90
    MB84VD22396EJ/VD22397EJ/VD22398EJ-85/90
    s
    特点
    • 2.7 V电源电压为3.1 V的FCRAM
    •电源2.7 V电压为3.3 V为Flash
    •高性能
    85 ns的最大访问时间（闪存）
    85 ns的最大访问时间（ FCRAM ）
    •工作温度
    –30
    °C
    +85
    °C
    •包71球BGA
    （续）
    s
    产品线
    FL灰内存
    电源电压（V）的
    最大地址访问时间（纳秒）
    最大CE访问时间（纳秒）
    最大OE访问时间（纳秒）
    V
    CC
    F * = 2.7〜 3.3
    85
    85
    35
    FCRAM
    V
    CC
    S * = 2.7〜 3.1
    85
    85
    50
    * ：两个V
    CC
    F且V
    CC
    s必须是当被访问或者部分相同的水平。
    s
    包
    71球BGA塑料
    (BGA-71P-M02)
    注意：这些保证双方FCRAM和Flash在85 ns的存取周期。

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