MB84VD22386/387/388EJ-85/90/MB84VD22396/397/398EJ-85/90
(续)
1.闪存
•可同时读/写操作(双行)
可使用不同大小的银行多台设备
主机系统可以编程或擦除一家银行,然后立即和同时从其他银行的阅读
读取和写入操作之间的零延迟
同时读 - 擦除
读而程序
•最少100,000次写/擦除周期
•扇区擦除架构
8个4 K字和63 32 K字。
任何部门的结合可以同时删除。该器件还支持整片擦除。
•启动代码部门架构
MB84VD22386EJ / VD22387EJ / VD22388EJ :热门行业
MB84VD22396EJ / VD22397EJ / VD22398EJ :底界
•嵌入式擦除
TM
算法
自动预先计划和擦除芯片或任何部门
•嵌入式程序
TM
算法
自动写和在指定地址的数据验证
•数据轮询和切换位功能的检测程序或擦除周期结束
•就绪 - 忙输出( RY / BY )
硬件方法检测编程或擦除周期完成
•自动睡眠模式
当地址保持稳定,自动切换自己的低功耗模式。
•隐藏ROM (高-ROM )地区
64字节的Hi- ROM中,通过一个新的访问“的Hi- ROM启动”命令序列
工厂序列和保护,以提供一个安全的电子序列号(ESN )
• WP / ACC输入引脚
允许在V保护引导扇区
IL
无论部门保护/解除保护状态
( MB84VD22386EJ / VD22387EJ / VD22388EJ : SA69 , SA70
MB84VD22396EJ / VD22397EJ / VD22398EJ : SA0 , SA1 )
可以去除引导扇区保护在V
IH
.
在VACC ,节目时间将减少40% 。
•擦除暂停/恢复
暂停的擦除操作,以允许在同一设备内的另一扇区的读
•请参阅“ MBM29DL32XTE / BE ”的详细功能数据表
2. FCRAM
•功耗
操作:20 mA最大
待机: 70
µA
最大
省电: 10
µA
最大
•掉电控制由CE2s
•字节写控制:磅( DQ
7
-DQ
0
) ,瑞银( DQ
15
-DQ
5
)
• 4字地址接入能力
2