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MBM29F400TC-55PFTN 参数 Datasheet PDF下载

MBM29F400TC-55PFTN图片预览
型号: MBM29F400TC-55PFTN
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内容描述: FLASH存储器CMOS 4M ( 512K ×8 / 256K ×16 )位 [FLASH MEMORY CMOS 4M (512K x 8/256K x 16) BIT]
分类和应用: 闪存存储内存集成电路光电二极管
文件页数/大小: 48 页 / 541 K
品牌: SPANSION [ SPANSION ]
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富士通半导体
数据表
DS05-20851-6E
FL灰内存
CMOS
4M ( 512K
×
8/256K
×
16 )位
MBM29F400TC
-55/-70/-90
/MBM29F400BC
-55/-70/-90
s
描述
该MBM29F400TC / BC是4M位, 5.0 V ,仅限于Flash组织成512K字节的8位或每256K内存
也就是说,每行16位。该MBM29F400TC / BC是在一个48引脚TSOP和44引脚SOP封装。该装置
被设计成在系统编程与标准体系5.0 VV
CC
供应量。 12.0 V V
PP
不要求
为写或擦除操作。该设备还可以重新编程,在标准EPROM编程器。该
标准MBM29F400TC / BC提供访问时间55 ns到90 ns的允许高速microproces-操作
感器无需等待。为了消除总线争用的设备都有单独的芯片使能( CE ) ,写使能( WE) ,
和输出使能(OE )控制。
(续)
s
产品阵容
产品型号
订货型号
V
CC
= 5.0 V ± 5 %
V
CC
= 5.0 V ± 10 %
-55
55
55
30
MBM29F400TC/MBM29F400BC
-70
70
70
30
-90
90
90
35
马克斯。地址访问时间(纳秒)
马克斯。 CE访问时间(纳秒)
马克斯。 OE访问时间(纳秒)
s
套餐
48引脚TSOP ( 1 )
侧面标
44引脚SOP
侧面标
侧面标
(FPT-48P-M19)
(FPT-48P-M20)
(FPT-44P-M16)