富士通半导体
数据表
DS05-20846-6E
FL灰内存
CMOS
16M (2M
×
8/1M
×
16 ）位
MBM29LV160T
-80/-90/-12
/MBM29LV160B
-80/-90/-12
s
概述
该MBM29LV160T / B是16M位， 3.0 V-仅限Flash组织为每个或1M字8位2M字节的内存
的每个16比特。该MBM29LV160T / B是在一个48引脚TSOP提供（ 1 ） ，48引脚南方东英和48球FBGA封装。
该设备被设计成在系统编程与标准体系3.0 VV
CC
供应量。 12.0 V V
PP
和
5.0 V V
CC
不需要用于写入或擦除操作。该设备还可以在标准EPROM重新编程
程序员。
标准MBM29LV160T / B提供了80纳秒到120纳秒访问时间，高速运转使
微处理器无需等待。为了消除总线争用的设备都有单独的芯片使能（ CE ），写
使能（WE ）和输出使能（OE ）控制。
该MBM29LV160T / B引脚和指令集兼容JEDEC标准E
2
PROM中。命令
写入到使用标准的微处理器写定时的命令寄存器。寄存器的内容作为输入
到内部的状态机，它控制了擦除和编程电路。写周期也在内部锁存
地址和所需的编程数据和擦除操作。读数据从器件中是类似
从5.0 V至12.0 V Flash或EPROM器件读取。
该MBM29LV160T / B是通过执行程序命令序列编程。这将调用
嵌入式程序算法是一个内部算法，可以自动次编程脉冲宽度
并验证正确的单元格边距。典型地，每个扇区可以被编程，并在大约0.5秒验证。
擦除是通过执行擦除命令序列来实现。这将调用嵌入式擦除
算法，它是一个内部算法，可以自动preprograms阵列如果它尚未被编程的
前执行擦除操作。在擦除时，自动装置倍擦除脉冲宽度和
验证正确的单元格边距。
（续）
s
产品阵容
产品型号
V
CC
= 3.3 V
订货型号
V
CC
= 3.0 V
最大地址访问时间（纳秒）
最大CE访问时间（纳秒）
最大OE访问时间（纳秒）
+0.3 V
–0.3 V
+0.6 V
–0.3 V
MBM29LV160T/160B
-80
—
80
80
30
—
-90
90
90
35
—
-12
120
120
50
SPANSION [ SPANSION ]
