内部状态机设置为在器件上电时读取阵列数据，
或一个硬件复位之后。这确保了MEM-的无杂散变更
电源转换过程中出现ORY内容。无命令是必要的，
此模式以获得阵列的数据。标准的微处理器读周期的AS-i
SERT上的器件地址输入有效地址产生的有效数据
设备数据输出。该器件保持启用，直到读的COM访问
命令寄存器的内容被改变。
SEE
“读阵列数据”
了解更多信息。参见AC
读操作
表定时规范和
图13
为时序图。我
CC1
在
DC特性表代表了有功电流规格的阅读
阵列的数据。
写命令/命令序列
写一个命令或命令序列（包括编程数据
到设备和擦除的存储器扇区）时，系统必须驱动WE＃和
CE＃到V
IL
和OE ＃到V
IH
.
对于程序的操作， BYTE ＃引脚决定该设备是否接受
在字节或字的节目数据。请参阅
“字配置”
了解更多
信息。
该器件具有一个
解锁绕道
模式，以方便更快速的编程。
一旦设备进入解锁旁路模式，只有两个写周期是重新
引入来编程，而不是四个字或字节。该
“ Word程序命令
顺序？
部分对编程数据的详细信息，以使用这两种设备
标准和解锁绕道命令序列。
擦除操作可以擦除一个扇区，多个扇区或整个设备。
表2和表3表示每个扇区占用的地址空间。 A“部门
地址“包括需要唯一地选择一个扇区的地址位。该
“命令定义”
部具有上擦除一个扇区或整个芯片的细节，
或暂停/恢复擦除操作。
在系统中写入自动选择命令序列，该器件进入
自选模式。然后，系统可以从内部看自选码
寄存器（其是分开的存储器阵列）上DQ7 - DQ0 。标准读
循环定时适用于这种模式。参阅
“自选模式”
和
“自选
命令序列？
部分以获取更多信息。
I
CC2
在DC特性表代表了有功电流规范
写入模式。该
“AC特性”
部分包含时序规范TA-
统计局和时序图写操作。
编程和擦除操作状态
在一个擦除或写入操作时，系统可检查的状态
操作通过读取DQ7 - DQ0状态位。标准的读周期时序
我
CC
读取规格适用。请参阅
“写操作状态”
更多的IN-
形成，并
“AC特性”
时序图。
待机模式
当系统没有读取或写入设备，它可以将设备
在待机模式下。在这种模式下，电流消耗大大减少，并
的输出被置于高阻抗状态，独立的OE＃
输入。
2004年4月21日S29AL016M_00A4
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