该器件进入CMOS待机模式时的CE＃和RESET ＃引脚
无论是在V举行
CC
±
0.3 V （注意，这是一个更受限制的电压范围比
V
IH
）如果CE ＃和RESET ＃保持在V
IH
，但不是在V
CC
±
0.3 V时，器件
将在待机模式下，但待机电流将更大。该装置
需要标准的访问时间（t
CE
）进行读访问时，该设备是在任
这些待机模式，之前它已经准备好读取数据。
如果设备被擦除或编程过程中取消选择时，设备将AC-
略去电流，直到操作完成。
在
DC特性
表中，我
CC3
我
CC4
代表了备用电流
特定连接的阳离子。
自动休眠模式
自动睡眠模式，最大限度地降低闪存器件的能耗。该
设备会自动启用，当地址保持稳定吨这种模式
加
+
30纳秒。自动睡眠模式是独立的，CE＃ ， WE＃和OE ＃
控制信号。标准地址的访问时序提供了新的数据时，
地址被改变了。而在睡眠模式下，输出数据被锁存，并始终
系统可用的。我
CC4
在
DC特性
表代表
自动休眠模式电流规范。
RESET ＃ ：硬件复位引脚
在RESET ＃引脚提供器件复位到阅读的硬件方法
阵列的数据。当系统驱动RESET ＃引脚到V
IL
用于至少一个周期的
t
RP
时，设备
立即终止
中的任何操作，所有的三态
数据输出引脚，并忽略所有的读/写尝试的RE-的时间
SET ＃脉冲。该器件也复位内部状态机读取阵列
数据。被中断，应重新开始一旦装置是操作
准备好接受另一个命令序列，以保证数据的完整性。
电流减小为RESET＃脉冲的持续时间。当RESET ＃举行
在V
SS
± 0.3 V时，设备将CMOS待机电流（I
CC4
） 。如果RESET ＃举行
在V
IL
但不是在V
SS
± 0.3 V时，备用电流将更大。
在RESET ＃引脚可以连接到系统复位电路。系统复位会
由此也重置闪存，使系统能够读取开机固件内
洁具从Flash存储器中。
如果RESET ＃是在一个程序断言或擦除操作时， RY / BY ＃引脚重新
主电源为“0” （忙），直到内部复位操作完成，这需要
时间t的
准备
（在嵌入式算法） 。因此，系统可以监视
RY / BY ＃来确定复位操作是否完成。如果RESET ＃是AS-i
牢固插入时编程或擦除操作不被执行（ RY / BY＃引脚为“1”） ，
复位动作吨的时间内完成
准备
（不是在嵌入式
算法） 。该系统可以读取的数据吨
RH
在RESET ＃引脚恢复到V后
IH
.
参阅
AC特性
表RESET ＃参数和
图14
为时序图。
输出禁止模式
当OE ＃输入为V
IH
从设备输出被禁止。输出引脚
被置于高阻抗状态。
13
S29AL016M
S29AL016M_00A4 2004年4月21日
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