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S29AL032D70BFI040 参数 Datasheet PDF下载

S29AL032D70BFI040图片预览
型号: S29AL032D70BFI040
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内容描述: 32兆位CMOS 3.0伏只快闪记忆体 [32 Megabit CMOS 3.0 Volt-only Flash Memory]
分类和应用: 闪存存储内存集成电路
文件页数/大小: 69 页 / 1731 K
品牌: SPANSION [ SPANSION ]
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A D V A N权证
我N· Ø R M一T I O 4 N
设备总线操作
本节描述的要求,并利用该装置的总线操作的,这是启动
通过内部命令寄存器。命令寄存器本身不占用任何addres-
紫貂内存位置。该寄存器是由存储的命令锁存器,以及
所需要的地址和数据信息,以执行该命令。该寄存器的内容
作为输入到内部状态机。状态机输出规定的功能
该设备。
表1
列出它们所需要的设备的总线操作中,输入和控制的水平,并
所得到的输出。以下小节介绍更详细,所有这些作业。
表1中。
手术
(注1 )
加速计划
(注6 )
待机
输出禁用
RESET
部门保护
(注3)
部门撤消
(注3)
临时机构
撤消
CE#
L
L
L
V
CC
±
0.3 V
L
X
L
L
X
OE #
L
H
H
X
H
X
H
H
X
WE#
H
L
L
X
H
X
L
L
X
S29AL032D设备总线操作
WP # (注
6)/
L / H
(注4 )
HH
H
L / H
L / H
L / H
(注4 )
(注4 )
地址
(注3)
A
IN
A
IN
A
IN
X
X
X
SA, A6 = L ,
A 1 = H, A 0 = L
SA, A6 = H,
A 1 = H, A 0 = L
A
IN
DQ0–
DQ7
D
OUT
(注5 )
(注5 )
高-Z
高-Z
高-Z
(注5 )
(注5 )
(注5 )
DQ8–DQ15
(注6 )
BYTE #
= V
IH
D
OUT
(注5 )
(注5 )
高-Z
高-Z
高-Z
X
X
(注5 )
BYTE # = V
IL
DQ8 - DQ14 =
高-Z , DQ15 =
A-1
高-Z
高-Z
高-Z
X
X
高-Z
RESET#
H
H
H
V
CC
±
0.3 V
H
L
V
ID
V
ID
V
ID
图例:
L =逻辑低= V
IL
,H =逻辑高电平= V
IH
, V
ID
= 12.0
±
0.5 V,X =无关,A
IN
=地址,D
IN
=数据输入,D
OUT
=数据输出
注意事项:
1.当ACC引脚为V
HH
,器件进入加速程序模式。看
2.地址是A20 : A0字模式( BYTE # = V
IH
) , A20 : A- 1字节模式( BYTE # = V
IL
).
3.扇区保护和扇区解除保护功能也可以通过编程设备来实现。
4.如果WP # / ACC = V
IL
,最外边的两个引导区受到保护。如果WP # / ACC = V
IH
,两个最外侧的引导扇区
保护取决于他们是否是最后一个受保护或不受保护的。如果WP # / ACC = V
HH
,各行业都受到保护。
5. D
IN
或D
OUT
所要求的指令序列,数据查询,或部门保护算法。
6.模型03 , 04只
字/字节配置(型号03 , 04只)
该BYTE #引脚控制设备是否数据I / O引脚DQ15 - DQ0工作在字节或字
配置。如果BYTE #引脚设置为逻辑
1,
该设备是在Word中的配置, DQ15 - DQ0
是活动的,由CE#和OE #控制。
如果BYTE #引脚设置为逻辑
0,
该装置是在字节构成,并且仅数据I / O管脚DQ0-
DQ7活跃和CE#和OE #控制。数据I / O引脚DQ8 - DQ14处于三态,并
在DQ15引脚用作输入的LSB ( A- 1 )地址的功能。
对于读阵列数据要求
从输出读阵列数据,系统必须驱动CE#和OE #管脚到V
IL
。 CE#为
功率控制和选择器件。 OE#为输出控制和门阵列的数据到
输出管脚。 WE#应保持在V
IH
。该BYTE #引脚决定该设备是否输出
在字或字节数组中的数据。
2005年6月13日S29AL032D_00_A3
S29AL032D
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