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S29GL512P12FFIV10 参数 Datasheet PDF下载

S29GL512P12FFIV10图片预览
型号: S29GL512P12FFIV10
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内容描述: 3.0伏只页面模式闪存具有90纳米的MirrorBit工艺技术 [3.0 Volt-only Page Mode Flash Memory featuring 90 nm MirrorBit Process Technology]
分类和应用: 闪存
文件页数/大小: 71 页 / 1568 K
品牌: SPANSION [ SPANSION ]
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S熙吨
( ADVA NCE
在对M通报BULLETIN )
表10.4
安全硅行业退出
( LLD功能= lld_SecSiSectorExitCmd )
周期
解锁周期1
解锁周期2
退出周期3
退出周期4
基地=基址。
/ *例: SecSi部门
*(( UINT16 *) BASE_ADDR
*(( UINT16 *) BASE_ADDR
*(( UINT16 *) BASE_ADDR
*(( UINT16 *) BASE_ADDR
退出命令* /
+ 0x555 ) = 0x00AA所;
+ 0x2AA ) = 0x0055自;
+ 0x555 ) = 0x0090;
+ 0x000 ) = 0x0000;
手术
字节地址
基地+ AAAH
基地+ 555H
基地+ AAAH
基地+ AAAH
字地址
基地+ 555H
基地+ 2AAh
基地+ 555H
基地+ 000H
数据
00AAh
0055h
0090h
0000h
/*
/*
/*
/*
解锁周期
解锁周期
SecSi部门
SecSi部门
1
2
退出周期3
退出周期4
*/
*/
*/
*/
11.电气规范
11.1
绝对最大额定值
描述
储存温度,塑料封装
环境温度与功耗的应用
所有的输入和I / O ,除了下面提到
(注1 )
电压对地
V
CC
(注1 )
V
IO
A9和ACC (注2)
输出短路电流(注3 )
等级
-65 ° C至+ 150°C
-65 ° C至+ 125°C
-0.5 V到V
CC
+ 0.5 V
-0.5 V至+4.0 V
-0.5V至+ 4.0V
-0.5 V至12.5 V
200毫安
笔记
输入或I 1.最小直流电压/输出是-0.5 V时的电压转换,输入或I / O的可能下冲V
SS
到-2.0 V为最高时期
到20纳秒。看
在输入或我最大直流电压/输出为V
CC
+ 0.5V,在电压转换输入或I / O数量可能过冲至
V
CC
+ 2.0V,进行达20毫微秒。看
2.引脚A9和ACC最小直流输入电压为-0.5V 。在电压转换, A9和ACC可能会过冲V
SS
到-2.0 V的时期
达20毫微秒。看
上引脚A9和ACC最大直流电压是12.5伏,这可能会过冲至14.0 V进行达20
NS 。
3.没有一个以上的输出可能短路到地的时间。短路的持续时间应不大于1秒。
4.强调上述“绝对最大额定值”,可能对器件造成永久性损坏。这是一个压力只有额定值。
该设备在这些或以上的业务部门所标明的任何其他条件的功能操作此数据表不
暗示。曝光设备的绝对最大额定值条件下工作会影响器件的可靠性。
图11.1
最大负过冲波形
20纳秒
+0 .8 V
–0 .5 V
–2 .0 V
20 n
s
20纳秒
2006年11月21日S29GL - P_00_A3
S29GL -P的MirrorBit
TM
快闪族
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