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S29GL128P11TFI020 参数 Datasheet PDF下载

S29GL128P11TFI020图片预览
型号: S29GL128P11TFI020
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内容描述: 3.0伏只页面模式闪存具有90纳米的MirrorBit工艺技术 [3.0 Volt-only Page Mode Flash Memory featuring 90 nm MirrorBit Process Technology]
分类和应用: 闪存内存集成电路光电二极管
文件页数/大小: 71 页 / 1568 K
品牌: SPANSION [ SPANSION ]
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S熙吨
( ADVA NCE
在对M通报BULLETIN )
1.
订购信息
订货编号由下一个有效的组合形成:
S29GL01GP
S29GL512P
S29GL256P
S29GL128P
10
F
A
I
01
0
包装类型
0 =纸盒(标准;见
2 = 7 “卷带
3 = 13 “的磁带和卷轴
型号(V
IO
范围,保护,当WP # = V
IL
)
01 = V
IO
= V
CC
= 2.7〜 3.6 V ,最高地址部门保护
02 = V
IO
= V
CC
= 2.7〜 3.6 V ,最低地址部门保护
V1 = V
IO
= 1.65 V
CC
, V
CC
= 2.7〜 3.6 V ,最高地址部门保护
V2 = V
IO
= 1.65 V
CC
, V
CC
= 2.7〜 3.6 V ,最低地址部门保护
R1 = V
IO
= V
CC
= 3.0〜 3.6 V ,最高地址部门保护
R2 = V
IO
= V
CC
= 3.0〜 3.6 V ,最低地址部门保护
温度范围
I =工业级( -40 ° C至+ 85°C )
包装材料套装
A =铅
F =无铅
套餐类型
T =薄型小尺寸封装( TSOP )标准引脚
F =强化剂球栅阵列,1.0 mm间距封装
速度选项
11 = 110纳秒
12 = 120纳秒
13 = 130纳秒
设备号/说明
S29GL01GP , S29GL512P , S29GL256P , S29GL128P
3.0伏只, 1024 , 512 , 256和128兆位( 32 X 16位/ 64男×8位)页面模式闪存
90纳米的MirrorBit制造
TM
工艺技术
S29GL -P有效组合
1 GB
速度快(纳秒)
11
12
13
S29GL01GP
11
12
13
S29GL512P,
S29GL256P,
S29GL128P
笔记
1.类型0是标准配置。根据需要指定其他选项。
2. TSOP封装标记遗漏的订购部件号包装型标志。
3. BGA封装标识遗漏领先的“ S29 ”,并从订购部件号包装型标志。
4.联系当地销售代表的可用性,并在以下部件号: S29GL01GP12TFI010 , S29GL01GP12FFI010 ,
S29GL01GP13TFIV10 , S29GL01GP13FFIV10 。
固定资产投资, FFI
R1, R2
01
02
V1
V2
0, 2, 3
LAA064 (加固BGA )
TAI , TFI
包装&
温度
型号
R1, R2
01
02
V1
V2
0, 3
TS056 ( TSOP )
包型
包装说明
1.1
推荐组合
推荐组合列表配置计划中的音量此设备支持。请教
您当地的销售办事处,以确认具体的可用性建议组合和新的检查
发布组合。
2006年11月21日S29GL - P_00_A3
S29GL -P的MirrorBit
TM
快闪族
5