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S29GL064N11TFIV20 参数 Datasheet PDF下载

S29GL064N11TFIV20图片预览
型号: S29GL064N11TFIV20
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内容描述: 64兆, 32兆3.0伏只页面模式闪存设有110纳米的MirrorBit工艺技术 [64 Megabit, 32 Megabit 3.0-Volt only Page Mode Flash Memory Featuring 110 nm MirrorBit Process Technology]
分类和应用: 闪存存储内存集成电路光电二极管
文件页数/大小: 79 页 / 3123 K
品牌: SPANSION [ SPANSION ]
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数据
她等
6.
订购信息, S29GL032N
S29GL032N标准产品
标准的产品在几个包和经营范围内工作。订单号(有效
组合)由以下的组合来形成的:
S29GL032N
90
T
A
I
01
0
包装类型
0 =盘
2 = 7英寸磁带和卷轴
3 = 13英寸磁带和卷轴
型号
01 = X8 / X16 ,V
CC
= V
IO
= 2.7 - 3.6 V ,统一部门, WP # / ACC = V
IL
最高保护部门处理
02 = X8 / X16 ,V
CC
= V
IO
= 2.7 - 3.6 V ,统一部门, WP # / ACC = V
IL
最低保护部门处理
03 = X8 / X16 ,V
CC
= 2.7 - 3.6 V ,顶部引导扇区, WP # / ACC = V
IL
保护前两名解决行业
04 = X8 / X16 ,V
CC
= 2.7 - 3.6 V ,底部引导扇区, WP # / ACC = V
IL
保护底部的两个部门解决
V1 = X8 / X16 ,V
CC
= 2.7 – 3.6 V, V
IO
= 1.65 - 3.6 V ,统一部门, WP # / ACC = V
IL
可保护最高的解决
扇形
V2 = X8 / X16 ,V
CC
= 2.7 – 3.6 V, V
IO
= 1.65 - 3.6 V ,统一部门, WP # / ACC = V
IL
最低保护部门处理
温度范围
I =工业级( -40 ° C至+ 85°C )
包装材料SET
A =标准
F =无铅
套餐类型
T =薄型小尺寸封装( TSOP )标准引脚
B =细间距球栅阵列封装
F =强化剂球栅阵列封装
速度选项
见产品选型指南和有效组合( 90 = 90纳秒, 11 = 110纳秒)
设备号/说明
S29GL032N
32兆位页模式闪存
使用110纳米的MirrorBit制造
®
工艺制程, 3.0伏只读取,编程和擦除
表6.1
S29GL032N订购选项
S29GL032N有效组合
设备
速度
选项
90
TFI
11
90
FFI
S29GL032N
11
TFI
90
BFI
FFI
笔记
1.类型0是标准配置。指定其他的要求: TSOPs可以在被包装
类型0和3; BGA封装可被包装在类型0,2或3 。
2. TSOP封装标记省略了从订货包装类型指示符
产品型号。
3. BGA封装标识遗漏领先
S29
和包装类型的标志
从订货部件号。
4.联系当地销售的门票引线引线框架部分。
03, 04
V1, V2
V1, V2
01, 02
0,2,3
TS048
VBK048
LAA064
TSOP
细间距BGA
加固BGA
LAA064
加固BGA
包装,材质,
&温度范围
模型
01, 02
TS056
TSOP
填料
TYPE
包装说明
(注)
有效组合
有效组合列表配置计划投入量为这个支持
装置。请咨询您当地的销售办事处,以确认具体有效的可用性
组合并检查新发布的组合。
2007年11月16日S29GL - N_01_09
S29GL -N的MirrorBit
®
快闪族
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