欢迎访问ic37.com |
会员登录 免费注册
发布采购

S29GL064N11TFIV20 参数 Datasheet PDF下载

S29GL064N11TFIV20图片预览
型号: S29GL064N11TFIV20
PDF下载: 下载PDF文件 查看货源
内容描述: 64兆, 32兆3.0伏只页面模式闪存设有110纳米的MirrorBit工艺技术 [64 Megabit, 32 Megabit 3.0-Volt only Page Mode Flash Memory Featuring 110 nm MirrorBit Process Technology]
分类和应用: 闪存存储内存集成电路光电二极管
文件页数/大小: 79 页 / 3123 K
品牌: SPANSION [ SPANSION ]
 浏览型号S29GL064N11TFIV20的Datasheet PDF文件第43页浏览型号S29GL064N11TFIV20的Datasheet PDF文件第44页浏览型号S29GL064N11TFIV20的Datasheet PDF文件第45页浏览型号S29GL064N11TFIV20的Datasheet PDF文件第46页浏览型号S29GL064N11TFIV20的Datasheet PDF文件第48页浏览型号S29GL064N11TFIV20的Datasheet PDF文件第49页浏览型号S29GL064N11TFIV20的Datasheet PDF文件第50页浏览型号S29GL064N11TFIV20的Datasheet PDF文件第51页  
数据
她等
图10.3
程序挂起/恢复计划
程序运行
或写入到缓冲区
序列中的研究进展
写地址/数据
XXXh/B0h
写程序挂起
命令序列
命令也适用于
擦除暂停的程序
操作
等待20
μs
读出的数据作为
需要
自选和SecSi部门
也允许读操作
数据不能从即先擦读或
节目悬浮部门
No
DONE
读什么?
是的
写地址/数据
XXXh/30h
写程序的简历
命令序列
设备恢复到
操作之前,
节目暂停
10.6
芯片擦除命令序列
芯片擦除是六总线周期的操作。该芯片擦除命令序列写入两个解锁启动
个循环,接着一个建立命令。两个额外的解锁写周期再其次是芯片擦除被
命令,从而调用嵌入式擦除算法。该设备不
要求系统
预编程擦除之前。嵌入式擦除算法自动preprograms并验证整个
存储器,用于事先给电擦除一个全零的数据模式。该系统不要求提供任何
在这些操作控制或定时。
展示
地址和数据要求对于芯片擦除命令序列。
当嵌入式擦除算法完成时,设备将返回到读模式和地址是不
再锁定。该系统可以通过使用DQ7 , DQ6 ,或DQ2确定擦除操作的状态。
请参阅
有关这些状态位的信息。
芯片擦除操作过程中写入任何命令都会被忽略。但是,请注意,
硬件复位
立即终止擦除操作。如果出现这种情况,该芯片擦除命令序列应
重新开始,一旦设备返回读取阵列数据,以保证数据的完整性。
示的算法来执行擦除操作。请参阅
参数,并
时序图。
2007年11月16日S29GL - N_01_09
S29GL -N的MirrorBit
®
快闪族
47