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S29GL064N11TFIV20 参数 Datasheet PDF下载

S29GL064N11TFIV20图片预览
型号: S29GL064N11TFIV20
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内容描述: 64兆, 32兆3.0伏只页面模式闪存设有110纳米的MirrorBit工艺技术 [64 Megabit, 32 Megabit 3.0-Volt only Page Mode Flash Memory Featuring 110 nm MirrorBit Process Technology]
分类和应用: 闪存存储内存集成电路光电二极管
文件页数/大小: 79 页 / 3123 K
品牌: SPANSION [ SPANSION ]
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数据
她等
图15.7
芯片/扇区擦除操作时序
擦除命令序列(最后两个周期)
t
WC
地址
2AAh
t
AS
SA
555H芯片擦除
阅读状态数据
VA
t
AH
VA
CE#
OE #
t
WP
WE#
t
CS
t
DS
t
CH
t
WPH
t
WHWH2
t
DH
数据
55h
30h
10芯片擦除
In
进度
完整
t
RY / BY #
t
VCS
V
CC
笔记
1. SA =扇区地址(扇区擦除),用于读取状态数据, VA =有效的地址(见
2,图中显示的设备中字模式。
t
RB
图15.8
数据#投票计时(在嵌入式算法)
t
RC
地址
t
调查
CE#
t
CH
OE #
t
OEH
WE#
t
OH
DQ7
高Z
VA
t
t
CE
VA
VA
t
OE
t
DF
有效数据
高Z
DQ0–DQ6
t
RY / BY #
状态数据
状态数据
有效数据
VA =有效地址。图显示了第一个状态周期的命令序列后,最后状态读周期,和数组数据读周期。
2007年11月16日S29GL - N_01_09
S29GL -N的MirrorBit
®
快闪族
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