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S29GL064N11TFIV20 参数 Datasheet PDF下载

S29GL064N11TFIV20图片预览
型号: S29GL064N11TFIV20
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内容描述: 64兆, 32兆3.0伏只页面模式闪存设有110纳米的MirrorBit工艺技术 [64 Megabit, 32 Megabit 3.0-Volt only Page Mode Flash Memory Featuring 110 nm MirrorBit Process Technology]
分类和应用: 闪存存储内存集成电路光电二极管
文件页数/大小: 79 页 / 3123 K
品牌: SPANSION [ SPANSION ]
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S熙吨
图10.5
数据#轮询算法
开始
阅读DQ15 - DQ0
地址= VA
DQ7 =数据?
是的
No
No
DQ5 = 1 ?
是的
阅读DQ15 - DQ0
地址= VA
DQ7 =数据?
是的
No
失败
笔记
1. VA =有效的地址进行编程。在一个扇区擦除操作时,一个有效地址是扇区内的任何扇区地址为
删除。在芯片擦除,一个有效的地址是任何非保护的扇区地址。
2. DQ7应即使DQ5 =进行复核
1
因为DQ7可能与DQ5同时改变。
10.12 RY / BY # :就绪/忙#
该RY / BY #是一个专用,开漏输出引脚指示嵌入式算法是否
进度或完成。该RY / BY #状态后,最终WE#脉冲的命令上升沿有效
序列。由于RY / BY #是一个漏极开路输出,几个RY / BY #引脚可以连在一起,同时用
上拉电阻到V
CC
.
如果输出为低(忙) ,所述设备被积极地擦除或编程。 (这包括在编程
擦除挂起模式。 )如果输出为高(就绪) ,该装置是在读取模式,待机模式,或在
擦除挂起读取模式。
显示了RY / BY #输出。
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S29GL -N的MirrorBit
®
快闪族
S29GL - N_01_09 2007年11月16日