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S29GL064N11TFIV20 参数 Datasheet PDF下载

S29GL064N11TFIV20图片预览
型号: S29GL064N11TFIV20
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内容描述: 64兆, 32兆3.0伏只页面模式闪存设有110纳米的MirrorBit工艺技术 [64 Megabit, 32 Megabit 3.0-Volt only Page Mode Flash Memory Featuring 110 nm MirrorBit Process Technology]
分类和应用: 闪存存储内存集成电路光电二极管
文件页数/大小: 79 页 / 3123 K
品牌: SPANSION [ SPANSION ]
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S熙吨
图10.6
切换位算法
开始
阅读DQ7 - DQ0
阅读DQ7 - DQ0
切换位
=切换?
是的
No
No
DQ5 = 1 ?
是的
阅读DQ7 - DQ0
两次
切换位
=切换?
No
是的
编程/擦除
操作不
完成后,写
复位命令
编程/擦除
操作完成
该系统应重新检查触发位,即使DQ5 =
1
因为触发位可能会停止切换为DQ5变为
1.
小节上DQ6和DQ2获取更多信息。
10.14 DQ2 :切换位II
上DQ2的“翻转位Ⅱ” ,与DQ6使用时,表示一个特定的扇区是否被积极地擦除(即
是,嵌入式擦除算法正在进行中) ,还是该部门是擦除暂停。触发位II是
之后的最终WE#脉冲的命令序列的上升沿有效。
DQ2切换时,系统在读取被选定为擦除这些行业中的地址。 (本
系统可以使用两种OE #或CE #控制读取周期)。但是DQ2不能区分是否
部门积极擦除或擦除暂停。 DQ6 ,通过比较,指示该设备是否
积极擦除,或者在擦除挂起,但不能区分哪个部门都选择删除。因此,
两个状态位所需要的扇区和模式信息。请参阅
比较
输出为DQ2和DQ6 。
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S29GL -N的MirrorBit
®
快闪族
S29GL - N_01_09 2007年11月16日