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    S29GL064N11TFIV20 参数 Datasheet PDF下载

    S29GL064N11TFIV20图片预览
    型号： S29GL064N11TFIV20
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 64兆， 32兆3.0伏只页面模式闪存设有110纳米的MirrorBit工艺技术 [64 Megabit, 32 Megabit 3.0-Volt only Page Mode Flash Memory Featuring 110 nm MirrorBit Process Technology]
    分类和应用： 闪存存储内存集成电路光电二极管
    文件页数/大小： 79 页 / 3123 K
    品牌： SPANSION [ SPANSION ]
     浏览型号S29GL064N11TFIV20的Datasheet PDF文件第59页浏览型号S29GL064N11TFIV20的Datasheet PDF文件第60页浏览型号S29GL064N11TFIV20的Datasheet PDF文件第61页浏览型号S29GL064N11TFIV20的Datasheet PDF文件第62页浏览型号S29GL064N11TFIV20的Datasheet PDF文件第64页浏览型号S29GL064N11TFIV20的Datasheet PDF文件第65页浏览型号S29GL064N11TFIV20的Datasheet PDF文件第66页浏览型号S29GL064N11TFIV20的Datasheet PDF文件第67页  
    数据
    她等
    14.测试条件
    图14.1
    测试设置
    3.3 V
    2.7 kΩ
    设备
    下
    TEST
    C
    L
    6.2 kΩ
    记
    二极管IN3064或同等学历。
    表14.1
    测试规范
    测试条件
    输出负载
    输出负载电容，C
    L
    （包括夹具电容）
    输入上升和下降时间
    输入脉冲电平
    输入定时测量参考电平
    输出时序测量参考电平
    30
    5
    0.0或V
    IO
    0.5 V
    IO
    0.5 V
    IO
    所有速度
    1 TTL门
    pF
    ns
    V
    V
    V
    单位
    14.1
    关键开关波形
    波形
    输入
    稳定
    输出
    改变从H到L
    改变以L至H
    不关心，任何允许更改
    改变，状态未知
    不适用
    中心线为高阻抗状态（高阻）
    图14.2
    输入波形和测量水平
    VCC
    0.0 V
    输入
    0.5 V
    IO
    测量级别
    0.5 V
    IO
    产量
    2007年11月16日S29GL - N_01_09
    S29GL -N的MirrorBit
    ®
    快闪族
    63

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