ð AT A
S熙吨
13.直流特性
表13.1
直流特性， CMOS兼容
参数
符号
I
LI
I
点亮
I
LO
参数说明（注）
输入负载电流
A9输入负载电流
输出漏电流
测试条件
V
IN
= V
SS
到V
CC
,
V
CC
= V
CC MAX
V
CC
= V
CC MAX
; A9 = 12.5 V
V
OUT
= V
SS
到V
CC
, V
CC
= V
CC MAX
CE＃ = V
白细胞介素，
OE ＃ = V
IH
, V
CC
= V
CC最大，
F = 1 MH
I
CC1
V
CC
最初读电流
CE＃ = V
白细胞介素，
OE ＃ = V
IH
, V
CC
= V
CC最大，
F = 5兆赫
CE＃ = V
白细胞介素，
OE ＃ = V
IH
, V
CC
= V
CC最大，
F = 10MHz的
CE＃ = V
白细胞介素，
OE ＃ = V
IH
, V
CC
= V
CC MAX
F = 10MHz的
CE＃ = V
白细胞介素，
OE ＃ = V
IH
, V
CC
= V
CC MAX
F = 33 MH
CE＃ = V
白细胞介素，
OE ＃ = V
IH
, V
CC
= V
CC MAX
V
CC
= V
CC MAX
; V
IO
= V
CC
; OE ＃ = V
IH
;
V
IL
= (V
SS
+0.3V) / –0.1V;
CE ＃ ， RESET ＃ = V
CC
±
0.3 V
V
CC
= V
CCmax
, V
IO
= V
CC
,
V
IL
= (V
SS
+0.3V) / –0.1V;
RESET ＃ = V
SS
±
0.3 V
V
CC
= V
CCmax
, V
IO
= V
CC
,
V
IH
= V
CC
±
0.3 V;
V
IL
= (V
SS
+0.3V) / –0.1V;
WP ＃ / ACC = V
IH
CE＃ = V
IL
， OE ＃ = V
IH
,
V
CC
= V
CC
最大，
WP ＃ / ACC = V
IH
WP ＃ /
加
V
CC
–0.1
0.7 V
IO
V
CC
= 2.7 –3.6 V
V
CC
= 2.7 –3.6 V
I
OL
= 100 µA
I
OH
= –100 µA
0.85
V
IO
2.3
2.5
11.5
11.5
6
25
45
1
5
50
民
典型值
最大
WP ＃ / ACC ： ± 2.0 μA
其他： ± 1.0 μA
35
±1.0
10
30
50
10
mA
20
60
mA
mA
单位
µA
µA
µA
I
CC2
V
CC
内页读取电流
I
CC3
I
CC4
V
CC
主动擦除/编程电流
（注
V
CC
待机电流
1
5
µA
I
CC5
V
CC
复位电流
1
5
µA
I
CC6
自动休眠模式
1
5
µA
I
加
V
IL
V
IH
V
HH
V
ID
V
OL
V
OH1
V
OH2
V
LKO
ACC加速编程电流
输入低电压1
输入高电压1
电压ACC擦除/编程
促进
电压自动选择
输出低电压
输出高电压
低V
CC
锁定电压
10
50
20
60
0.3× V
IO
V
IO
+ 0.3
12.5
12.5
0.15 x垂直
IO
mA
mA
V
V
V
V
V
V
V
笔记
1. I
CC
目前上市的是通常小于2毫安/兆赫，使用OE ＃在V
IH
.
2. I
CC
积极而嵌入式擦除，嵌入式程序，或写缓冲区编程正在进行中。
3.未经100％测试。
4.自动休眠模式可以在地址保持稳定吨的低功耗模式
加
+ 30纳秒。
5. V
IO
= 1.65-1.95 V或2.7-3.6 V.
6. V
CC
= 3 V和V
IO
= 3 V或1.8 V.当V
IO
是在1.8 V，I / O的不能在3 V操作
62
S29GL -N的MirrorBit
®
快闪族
S29GL - N_01_09 2007年11月16日
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