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S29GL064N11TFIV20 参数 Datasheet PDF下载

S29GL064N11TFIV20图片预览
型号: S29GL064N11TFIV20
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内容描述: 64兆, 32兆3.0伏只页面模式闪存设有110纳米的MirrorBit工艺技术 [64 Megabit, 32 Megabit 3.0-Volt only Page Mode Flash Memory Featuring 110 nm MirrorBit Process Technology]
分类和应用: 闪存存储内存集成电路光电二极管
文件页数/大小: 79 页 / 3123 K
品牌: SPANSION [ SPANSION ]
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数据
她等
16.擦除和编程性能
参数
扇区擦除时间
S29GL032N
芯片擦除时间
总的写缓冲器计划时间(注
3, 5)
总有效加速写缓冲器节目时间(注
芯片编程时间
S29GL032N
S29GL064N
S29GL064N
典型值
0.5
32
64
240
200
31.5
63
最大
3.5
64
128
µs
美国证券交易委员会
单位
评论
不包括00H
事先编程
要擦除
排除系统
级别开销
美国证券交易委员会
笔记
1.典型的编程和擦除时间假定以下条件: 25° C,V
CC
= 3.0V , 10,000次;棋盘图案数据。
90 2.在最坏的情况下
°
℃;最坏的情况下V
CC
, 10万次。
3.编程时间(典型值)为15
μs
(每个字) , 7.5
μs
(每字节) 。
4.加速编程时间(典型值)为12.5
μs
(每个字) , 6.3
μs
(每字节) 。
5.写缓冲区编程时间的计算以每字/每字节为基础的16字/ 32字节的写缓冲区操作。
6.在嵌入式擦除算法的预编程步骤,所有位都删除之前设置为00h 。
7.系统级开销是执行该程序指令的指令序列(多个)所需的时间。看
有关命令定义的详细信息。
表16.1
引脚TSOP和BGA封装电容
参数符号
C
IN
C
OUT
C
IN2
C
IN3
笔记
1.采样,而不是100 %测试。
2.测试条件牛逼
A
= 25 ° C,F = 1.0兆赫。
参数说明
输入电容
V
IN
= 0
测试设置
TSOP
BGA
TSOP
BGA
TSOP
BGA
TSOP
BGA
典型值
6
待定
6
待定
6
待定
27
待定
最大
10
待定
12
待定
10
待定
30
待定
单位
pF
pF
pF
pF
pF
pF
pF
pF
输出电容
V
OUT
= 0
V
IN
= 0
V
IN
= 0
控制引脚电容
#RESET , WP # / ACC引脚电容
2007年11月16日S29GL - N_01_09
S29GL -N的MirrorBit
®
快闪族
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