欢迎访问ic37.com |
会员登录 免费注册
发布采购

S29GL512N11FAI020 参数 Datasheet PDF下载

S29GL512N11FAI020图片预览
型号: S29GL512N11FAI020
PDF下载: 下载PDF文件 查看货源
内容描述: 3.0伏只页面模式闪存具有110纳米MirrorBit⑩工艺技术 [3.0 Volt-only Page Mode Flash Memory featuring 110 nm MirrorBit⑩ Process Technology]
分类和应用: 闪存
文件页数/大小: 100 页 / 2678 K
品牌: SPANSION [ SPANSION ]
 浏览型号S29GL512N11FAI020的Datasheet PDF文件第77页浏览型号S29GL512N11FAI020的Datasheet PDF文件第78页浏览型号S29GL512N11FAI020的Datasheet PDF文件第79页浏览型号S29GL512N11FAI020的Datasheet PDF文件第80页浏览型号S29GL512N11FAI020的Datasheet PDF文件第82页浏览型号S29GL512N11FAI020的Datasheet PDF文件第83页浏览型号S29GL512N11FAI020的Datasheet PDF文件第84页浏览型号S29GL512N11FAI020的Datasheet PDF文件第85页  
D A T A
中文ê (E T)
AC特性
硬件复位( RESET # )
参数
JEDEC
标准。
t
准备
t
准备
t
RP
t
RH
t
RPD
t
RB
注意事项:
1.
2.
未经100%测试。如果升温速率等于或大于1V / 100μs的更快地启动的RESET #引脚的下降沿时,RESET #引脚需要
只为100μs的功率保持为低。
下一代设备可以具有不同的复位速度。以增加系统的设计考虑,请参阅“提前
描述
RESET #引脚低电平(在嵌入式算法)
为READ模式
RESET #引脚低电平(而不是在嵌入式
算法)阅读模式
RESET#脉冲宽度
复位高时间之前读
RESET #低待机模式
RY / BY #恢复时间
最大
最大
速度
20
500
500
50
20
0
单位
ns
ns
ns
ns
µs
ns
RY / BY #
CE # , OE #
t
RH
RESET#
t
RP
t
准备
复位时序不是在嵌入式算法
在嵌入式算法复位时序
t
准备
RY / BY #
t
RB
CE # , OE #
RESET#
t
RP
t
RH
图13 。
复位时序
2006年S29GL - N_00_B3 10月13日,
S29GL -N的MirrorBit ™闪存系列
79