D A T A
中文ê （E T）
AC特性
擦除和编程操作
参数
JEDEC
t
AVAV
t
AVWL
标准。
t
WC
t
AS
t
ASO
t
WLAX
t
AH
t
AHT
t
DVWH
t
WHDX
t
DS
t
DH
t
CEPH
t
OEPH
t
GHWL
t
ELWL
t
WHEH
t
WLWH
t
WHDL
t
GHWL
t
CS
t
CH
t
WP
t
WPH
描述
写周期时间
地址建立时间
在触发位地址建立时间OE ＃低
轮询
地址保持时间
地址保持时间从CE ＃或OE ＃高
在触发位投票
数据建立时间
数据保持时间
CE ＃高时触发位投票
输出使能高时触发位投票
阅读恢复时间之前写
（ OE ＃高到我们＃低）
CE＃建立时间
CE＃保持时间
把脉冲宽度
写脉冲宽高
写缓冲器程序操作（注
有效的写缓冲器计划
操作（注
t
WHWH1
t
WHWH1
加快有效写入缓冲区
程序运行（注
程序运行
加速编程操作
t
WHWH2
t
WHWH2
t
VHH
t
VCS
t
忙
扇区擦除操作
V
HH
上升和下降时间
V
CC
建立时间
擦除/编程有效期至RY / BY ＃延迟
每字
每字
字
字
民
民
民
民
民
民
民
民
民
民
民
民
民
民
典型值
典型值
典型值
典型值
典型值
典型值
民
民
最大
90
90
速度选项
100
100
0
15
45
0
45
0
20
20
0
0
0
35
30
240
15
13.5
60
54
0.5
250
50
90
ns
ns
ns
ns
ns
ns
µs
µs
µs
µs
µs
美国证券交易委员会
ns
µs
ns
110
110
110
110
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
注意事项：
1.
2.
3.
4.
5.
6.
未经100％测试。
见
了解更多信息。
1-16字/ 1-32字节编程。
有效的写缓冲器规范是基于一个16字/ 32字节的写入缓冲器的操作。
除非另有说明，交流电源规格为90纳秒， 100纳秒和110纳秒的速度选项采用V测试
IO
= V
CC
= 3 V AC规格
为110 ns的速度选择与V测试
IO
= 1.8 V和V
CC
= 3.0 V.
90纳秒的速度选项仅适用于S29GL128N和S29GL256N 。
80
S29GL -N的MirrorBit ™闪存系列
2006年S29GL - N_00_B3 10月13日，
SPANSION [ SPANSION ]
