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S29GL128N11FAI020 参数 Datasheet PDF下载

S29GL128N11FAI020图片预览
型号: S29GL128N11FAI020
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内容描述: 3.0伏只页面模式闪存具有110纳米MirrorBit⑩工艺技术 [3.0 Volt-only Page Mode Flash Memory featuring 110 nm MirrorBit⑩ Process Technology]
分类和应用: 闪存存储内存集成电路
文件页数/大小: 100 页 / 2678 K
品牌: SPANSION [ SPANSION ]
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D A T A
中文ê (E T)
硬件数据保护
解锁周期的命令序列的要求进行编程或擦除提供
防止意外写入数据保护(参见
对于命令的定义) 。此外,下面的硬件数据保护测
祖雷斯贝尔防止意外擦除或编程,否则可能由下列原因造成
在V系统杂散电平信号
CC
上电和掉电转换,或从系
统噪声。
低V
CC
写禁止
当V
CC
小于V
LKO
,该设备不接受任何写周期。这可以保护数据
在V
CC
上电和断电。命令寄存器和所有内部程序/擦除
电路被关闭,并且该设备复位到读模式。随后的写操作被忽略
直到V
CC
大于V
LKO
。该系统必须提供适当的信号发送到控制销
当防止无意识V
CC
大于V
LKO
.
写脉冲
故障
保护
小于5纳秒(典型值)的OE #噪声脉冲, CE #或WE #不启动写周期。
逻辑INHIBIT
写周期是由持有OE #任何一个= V抑制
IL
,CE # = V
IH
或WE # = V
IH
。到起始
tiate一个写周期, CE#和WE#必须是逻辑零而OE#是逻辑1 。
上电时禁止写入
如果WE# = CE # = V
IL
和OE # = V
IH
上电时,该设备不接受命令
在WE#上升沿。内部状态机自动复位到读模式
上电。
2006年S29GL - N_00_B3 10月13日,
S29GL -N的MirrorBit ™闪存系列
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