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S29GL128N11FAI020 参数 Datasheet PDF下载

S29GL128N11FAI020图片预览
型号: S29GL128N11FAI020
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内容描述: 3.0伏只页面模式闪存具有110纳米MirrorBit⑩工艺技术 [3.0 Volt-only Page Mode Flash Memory featuring 110 nm MirrorBit⑩ Process Technology]
分类和应用: 闪存存储内存集成电路
文件页数/大小: 100 页 / 2678 K
品牌: SPANSION [ SPANSION ]
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持久保护位锁定( PPB锁定位)
全球挥发性位。当设置为“冻结状态”时, PPB位不能被改变。当
清了“解冻状态”时, PPB位是可变的。只有一个PPB锁定位
每个设备。该PPB锁定位被清除的“解冻状态”后,上电或硬件
复位。没有命令序列来解锁或“解冻”的PPB锁定位。
配置PPB锁定位在冻结状态需要大约100纳秒。读
PPB锁定状态位,需要在设备的初始接入时间。
表7.扇区保护计划
保护国
DYB位
撤消
撤消
撤消
撤消
保护
保护
保护
保护
PPB位
撤消
撤消
保护
保护
撤消
撤消
保护
保护
PPB锁定位
解冻
FREEZE
解冻
FREEZE
解冻
FREEZE
解冻
FREEZE
国家部门
无保护 - PPB和DYB是多变
无保护 - PPB不能改变, DYB是
多变
保护 - PPB和DYB是多变
保护 - PPB不能改变, DYB多变
保护 - PPB和DYB是多变
保护 - PPB不能改变, DYB多变
保护 - PPB和DYB是多变
保护 - PPB不能改变, DYB多变
包含DYB位的所有可能组合, PPB位,而PPB锁定位与
在行业的地位。总之,如果PPB位被置位,并且PPB锁定位被设置,则
部门保护和保护不能,直到下一个电源周期或硬删除
洁具复位清除PPB锁定位为“解冻状态” 。如果PPB位清零时,该扇区可以
被动态地锁定或解锁。该DYB位然后控制扇区是否是
保护或未被保护。如果用户尝试编程或擦除受保护的部门,
设备忽略该命令,并返回到读模式。程序命令保护
部门允许状态轮询约1微秒之前的设备返回到读取模式
不具有修饰的被保护的扇区的内容。擦除命令亲
tected部门允许的状态轮询大约50微秒后,该设备返回到
而不必擦除受保护的扇区读模式。在DYB位, PPB编程
位,而PPB锁定位对于一个给定扇区可以通过编写一个DYB状态读取, PPB验证
状态读取和PPB锁定状态读取命令到设备。
自选扇区保护验证输出DYB位和PPB的OR​​功能
每个扇区的基础位。当DYB位和PPB位的OR函数是1,扇区是任
通过DYB或PPB或两者的保护。当DYB位和PPB位的OR功能是0时,
行业是不受保护的同时通过DYB和PPB 。
持久保护模式锁定位
如密码保护模式锁定位,一个持久保护模式锁定位存在
确保设备保持在软件领域的保护。一旦编程, Per-
sistent保护模式锁定位可以防止密码保护模式锁定的节目
位。这保证了黑客无法将设备放置在密码保护模式。
密码保护模式锁定位驻留在“锁定寄存器” 。
2006年S29GL - N_00_B3 10月13日,
S29GL -N的MirrorBit ™闪存系列
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