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S29GL128N11FAI020 参数 Datasheet PDF下载

S29GL128N11FAI020图片预览
型号: S29GL128N11FAI020
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内容描述: 3.0伏只页面模式闪存具有110纳米MirrorBit⑩工艺技术 [3.0 Volt-only Page Mode Flash Memory featuring 110 nm MirrorBit⑩ Process Technology]
分类和应用: 闪存存储内存集成电路
文件页数/大小: 100 页 / 2678 K
品牌: SPANSION [ SPANSION ]
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D A T A
中文ê (E T)
AC特性
只读操作
参数
JEDEC
标准。
描述
测试设置
速度选项
90
90
100
100
110
110
110
90
100
110
110
90
100
110
110
25
25
25
25
20
20
0
0
10
35
25
35
30
35
110
单位
t
AVAV
t
RC
读周期时间
V
IO
= V
CC
= 3 V
V
IO
= 1.8 V, V
CC
= 3 V
V
IO
= V
CC
= 3 V
V
IO
= 1.8 V, V
CC
= 3 V
V
IO
= V
CC
= 3 V
V
IO
= 1.8 V, V
CC
= 3 V
ns
t
AVQV
t
地址输出延迟
最大
ns
t
ELQV
t
CE
t
PACC
芯片使能到输出延迟
页面访问时间
输出使能到输出延迟
芯片使能到输出高Z
输出使能到输出高Z
输出保持时间从地址, CE #或
OE # ,先到为准
输出使能保持时间
切换和
数据#投票
最大
最大
最大
最大
最大
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
t
GLQV
t
EHQZ
t
GHQZ
t
AXQX
t
OE
t
DF
t
DF
t
OH
t
OEH
t
CEH
芯片使能保持时间
注意事项:
1.
2.
3.
4.
5.
6.
未经100%测试。
CE # , OE # = V
IL
OE # = V
IL
SEE
测试规范。
除非另有说明,交流电源规格为90纳秒, 100纳秒和110纳秒的速度选项采用V测试
IO
= V
CC
= 3 V AC规格
为110 ns的速度选择与V测试
IO
= 1.8 V和V
CC
= 3.0 V.
90纳秒的速度选项仅适用于S29GL128N和S29GL256N 。
2006年S29GL - N_00_B3 10月13日,
S29GL -N的MirrorBit ™闪存系列
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