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    S29GL128N11FAIV10 参数 Datasheet PDF下载

    S29GL128N11FAIV10图片预览
    型号： S29GL128N11FAIV10
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 3.0伏只页面模式闪存具有110纳米MirrorBit⑩工艺技术 [3.0 Volt-only Page Mode Flash Memory featuring 110 nm MirrorBit⑩ Process Technology]
    分类和应用： 闪存
    文件页数/大小： 100 页 / 2678 K
    品牌： SPANSION [ SPANSION ]
     浏览型号S29GL128N11FAIV10的Datasheet PDF文件第7页浏览型号S29GL128N11FAIV10的Datasheet PDF文件第8页浏览型号S29GL128N11FAIV10的Datasheet PDF文件第9页浏览型号S29GL128N11FAIV10的Datasheet PDF文件第10页浏览型号S29GL128N11FAIV10的Datasheet PDF文件第12页浏览型号S29GL128N11FAIV10的Datasheet PDF文件第13页浏览型号S29GL128N11FAIV10的Datasheet PDF文件第14页浏览型号S29GL128N11FAIV10的Datasheet PDF文件第15页  
    D A T A
    中文ê （E T）
    连接图
    64 - ball加固BGA
    顶视图，球朝下
    A8
    NC
    A7
    A13
    A6
    A9
    A5
    WE＃
    A4
    B8
    A22
    B7
    A12
    B6
    A8
    B5
    RESET＃
    B4
    C8
    A23
    1
    C7
    A14
    C6
    A10
    C5
    A21
    C4
    A18
    C3
    A6
    C2
    A2
    C1
    NC
    D8
    V
    IO
    D7
    A15
    D6
    A11
    D5
    A19
    D4
    A20
    D3
    A5
    D2
    A1
    D1
    NC
    E8
    V
    SS
    E7
    A16
    E6
    DQ7
    E5
    DQ5
    E4
    DQ2
    E3
    DQ0
    E2
    A0
    E1
    NC
    F8
    A24
    2
    F7
    G8
    NC
    G7
    H8
    NC
    H7
    V
    SS
    H6
    DQ6
    H5
    DQ4
    H4
    DQ3
    H3
    DQ1
    H2
    V
    SS
    H1
    NC
    BYTE ＃ DQ15 / A- 1
    F6
    DQ14
    F5
    DQ12
    F4
    DQ10
    F3
    DQ8
    F2
    CE＃
    F1
    V
    IO
    G6
    DQ13
    G5
    V
    CC
    G4
    DQ11
    G3
    DQ9
    G2
    OE ＃
    G1
    NC
    RY / BY ＃ WP ＃ / ACC
    A3
    A7
    A2
    A3
    A1
    NC
    B3
    A17
    B2
    A4
    B1
    NC
    注意事项：
    1.
    2.
    球C8是NC的S29GL128N
    球F8是NC的S29GL256N和S29GL128N
    特殊包装处理说明
    特殊处理所需的闪存产品在成型封装（ TSOP ， BGA ） 。该
    如果封装体暴露于温包和/或数据的完整性可能受到损害
    peratures在150℃以上的时间延长周期。
    2006年S29GL - N_00_B3 10月13日，
    S29GL -N的MirrorBit ™闪存系列
    9

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