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S29GL128N11FAIV10 参数 Datasheet PDF下载

S29GL128N11FAIV10图片预览
型号: S29GL128N11FAIV10
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内容描述: 3.0伏只页面模式闪存具有110纳米MirrorBit⑩工艺技术 [3.0 Volt-only Page Mode Flash Memory featuring 110 nm MirrorBit⑩ Process Technology]
分类和应用: 闪存
文件页数/大小: 100 页 / 2678 K
品牌: SPANSION [ SPANSION ]
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中文ê (E T)
设备总线操作
本节介绍的要求和使用该设备的总线操作,这是ini-
通过内部命令寄存器tiated 。命令寄存器本身并不会占用
任何可寻址的内存位置。寄存器是用于存储该命令的一个锁存器,沿
以执行该命令所需要的地址和数据信息。的内容
寄存器作为输入,内部状态机。状态机输出决定了
功能的设备的。
列出了设备的总线操作,输入和控制水平
它们需要,将得到的输出。下面的小节介绍这些OP-的
操作在进一步的细节。
表1中。
设备总线操作
DQ8–DQ15
手术
写(编程/擦除)
加速计划
待机
输出禁用
RESET
CE#
L
L
L
V
CC
±
0.3 V
L
X
OE #
L
H
H
X
H
X
WE#
H
L
L
X
H
X
RESET#
H
H
H
V
CC
±
0.3 V
H
L
WP # / ACC
X
注2
V
HH
H
X
X
地址
(注1 )
A
IN
A
IN
A
IN
X
X
X
DQ0–
DQ7
D
OUT
(注3)
(注3)
高-Z
高-Z
高-Z
BYTE #
= V
IH
D
OUT
(注
3)
(注
3)
高-Z
高-Z
高-Z
BYTE #
= V
IL
DQ8–DQ14
=高阻,
DQ15 = A-1
高-Z
高-Z
高-Z
图例:
L =逻辑低= V
IL
,H =逻辑高电平= V
IH
, V
ID
= 11.5–12.5 V, V
HH
= 11.5-12.5V , X =无所谓, SA =部门
地址,
IN
=地址,D
IN
=数据输入,D
OUT
=数据输出
注意事项:
1.地址是AMAX : A0字模式;一
最大
: A- 1字节模式。扇区地址是A
最大
: A16在这两种模式。
2.如果WP # = V
IL
,第一个或最后一个扇区组仍然受到保护。如果WP # = V
IH
中,第一或最后一个扇区被保护或
未受保护如由所描述的方法测定“写保护(WP # ) ” 。所有部门都不受保护的时候
出厂(担保硅业可能因版本责令工厂的保护。 )
3. D
IN
或D
OUT
所要求的指令序列,数据查询,或部门保护算法(参见
字/字节CON组fi guration
该BYTE #引脚控制设备是否数据I / O引脚在字节或字config-操作
uration 。如果BYTE #引脚设置为逻辑“1” ,该设备是在Word中的配置, DQ0 - DQ15是
积极通过CE#和OE #控制。
如果BYTE #引脚设置为逻辑'0' ,该装置是在字节构成,并且仅数据I / O引脚
DQ0 - DQ7是活动的,由CE#和OE #控制。数据I / O引脚DQ8 - DQ14是
三态的,并且DQ15引脚用作输入端,用于LSB的( A-1)地址的功能。
VersatileIO
TM
(V
IO
)控制
VersatileIO
TM
(V
IO
)控制允许主机系统设置的电压电平,该DE-
副产生和容忍的CE #和DQ的I / O到断言相同的电压电平
在V
IO
。请查看订购信息V
IO
此设备上的选项。
例如,为V
I / O
的1.65-3.6伏允许I / O在1.8 〜3伏的水平,带动和
接收信号,并从相同的数据总线上的其它1.8或3 V设备。
2006年S29GL - N_00_B3 10月13日,
S29GL -N的MirrorBit ™闪存系列
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